一种封装结构及封装方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115841995A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202310104417.1H01L21/50(2006.01)(22)申请日2023.02.13H01L21/56(2006.01)(71)申请人徐州致能半导体有限公司地址221100江苏省徐州市铜山区徐州高新技术产业开发区珠江东路11号管委会大楼1205室申请人广东致能科技有限公司(72)发明人刘泰朱洪耀沙长青刘庆波黎子兰(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师王思楠(51)Int.Cl.H01L23/367(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称一种封装结构及封装方法(57)摘要本申请公开了一种封装结构及封装方法，涉及芯片封装技术领域，本申请的封装结构，包括基板以及分别设置于基板上的多个芯片，芯片靠近基板的侧面设置有第一连接件，芯片远离基板的侧面设置有第二导电件，第一连接件与设置于基板上的第一导电件连接，第一导电件部分设置于基板未设置芯片处，芯片上形成有成型层和接出层，第一导电件和第二导电件穿过成型层分别与接出层连接，以将第一导电件和第二导电件接出。本申请提供的封装结构及封装方法，能够使得双面电极芯片由芯片的两侧散热，提高封装结构的散热效果。CN115841995ACN115841995A权利要求书1/2页1.一种封装结构，其特征在于，包括基板以及分别设置于所述基板上的多个芯片，所述芯片靠近所述基板的侧面设置有第一连接件，所述芯片远离所述基板的侧面设置有第二导电件，所述第一连接件与设置于所述基板上的第一导电件连接，所述第一导电件部分设置于所述基板未设置所述芯片处，所述芯片上形成有成型层和接出层，所述第一导电件和所述第二导电件穿过所述成型层分别与接出层连接，以将所述第一导电件和第二导电件接出。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一连接件包括电极板，所述第一导电件包括设置于所述基板表面的导电板和设置于所述导电板上的导电柱，导电柱设置于基板未设置芯片处，所述电极板和所述导电柱通过所述导电板连接。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电极板和所述导电板通过锡料或者银浆固化后连接。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电件包括多个连接柱，所述连接柱分别与所述接出层连接。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述接出层包括依次设置于所述成型层上的布线层和电极层，所述布线层包括分别与所述连接柱连接的线路，所述电极层包括与所述线路对应连接的接线点。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，多个所述连接柱与所述导电柱远离所述基板的端部位于同一平面，且所述平面与所述布线层共面。7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述布线层包括多个分别与所述芯片对应的布线块，所述电极层对应所述布线块设置多个电极块。8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述电极块外周铺设有钝化材料以使所述电极块嵌设在所述钝化材料中。9.一种封装方法，其特征在于，包括：提供基板和多个芯片，所述基板上形成有第一导电件，所述芯片的两侧面分别设置有第一连接件和第二导电件；将多个所述芯片分别与所述基板固定连接，所述第一连接件与所述第一导电件电连接；在所述基板表面注塑成型形成成型层，所述成型层覆盖所述基板并包裹所述芯片，所述第一导电件和所述第二导电件的端部穿过所述成型层外漏；在所述成型层上形成接出层，所述接出层分别与所述第一导电件和所述第二导电件连接，以将所述第一导电件和所述第二导电件接出。10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述在所述基板表面注塑成型形成成型层，所述成型层覆盖所述基板并包裹所述芯片，所述第一导电件和所述第二导电件的端部穿过所述成型层外漏包括：采用注塑材料对芯片进行封装，形成塑封体，所述塑封体包裹所述芯片以及所述第一导电件和所述第二导电件；减薄所述塑封体以使所述第一导电件和第二导电件的端部漏出形成成型层。11.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述在所述成型层上形成接出层，所述接出层分别与所述第一导电件和所述第二导电件连接，以将所述第一导电件和所述第二2CN115841995A权利要求书2/2页导电件接出包括：在所述成型层上形成金属层，并刻蚀形成布线层，所述布线层分别与所述第一导电件和第二导电件连接；在所述布线层上涂覆钝化胶；光刻所述钝化胶使得部分所述布线层外漏，并在外漏的布线层上沉积金属形成电极块，所述电极块分别通过所述布线层与所述第一导电件和第二导电件连接。3CN115841995A说明书1/7页一种封装结构及封装方法技术领域[0001]