一种封装结构以及封装方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115911007A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202111165993.4H01L21/60(2006.01)(22)申请日2021.09.30(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人陈小璇(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.H01L25/065(2023.01)H01L23/488(2006.01)H01L23/367(2006.01)H01L23/373(2006.01)H01L21/50(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图8页(54)发明名称一种封装结构以及封装方法(57)摘要本申请实施例涉及半导体封装领域，提供一种封装结构以及封装方法，一种封装结构包括：第一金属层以及第二金属层，第一金属层位于电路区的第一面，第二金属层位于支撑区的第一面；第三金属层以及第四金属层，第三金属层位于电路区的第二面且与导电结构电连接，第四金属层位于支撑区的第二面；其中，至少两个堆叠设置的半导体结构中的一个半导体结构的第一面与其相邻的另一半导体结构的第二面正对，且半导体结构的第一金属层与处于相邻层的半导体结构的第三金属层接触键合，半导体结构的第二金属层与处于相邻层的半导体结构的第四金属层接触键合，可以解决集成电路中热问题。CN115911007ACN115911007A权利要求书1/2页1.一种封装结构，其特征在于，包括：至少两个堆叠设置的半导体结构，每一所述半导体结构包括相对的第一面和第二面，且所述半导体结构包括电路区以及支撑区，所述电路区的所述半导体结构内具有导电结构；所述半导体结构还包括：第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层位于所述电路区的第一面，所述第二金属层位于所述支撑区的第一面；第三金属层以及第四金属层，所述第三金属层位于所述电路区的第二面且与所述导电结构电连接，所述第四金属层位于所述支撑区的第二面；其中，所述至少两个堆叠设置的半导体结构中的一个所述半导体结构的所述第一面与其相邻的另一所述半导体结构的所述第二面正对，且所述半导体结构的第一金属层与处于相邻层的所述半导体结构的第三金属层接触键合，所述半导体结构的第二金属层与处于相邻层的所述半导体结构的第四金属层接触键合。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，位于所述支撑区的所述第二金属层为整面连续膜层；位于所述支撑区的所述第四金属层为整面连续膜层。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述半导体结构包括多个间隔排布的所述第一金属层，且在沿所述支撑区以及所述电路区的排布方向上，相邻的所述第一金属层之间间距与所述第一金属层的宽度的比例范围为1/12～3/4。4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，在沿所述支撑区以及所述电路区的排列方向上，所述第一金属层的宽度范围为40um～60um。5.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，在沿所述支撑区以及所述电路区的排列方向上，相邻的所述第一金属层之间的间距范围为5um～30um。6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第三金属层在所述第一面的正投影位于与所述第三金属层接触键合的第一金属层在所述第一面的正投影内部。7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属层的材料与所述第二金属层的材料相同。8.如权利要求1或7所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属层的材料包括铜、铝或者钨。9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在沿所述第一面指向所述第二面的方向上，所述第一金属层的厚度与所述第三金属层的厚度相同。10.如权利要求1或9所述的封装结构，其特征在于，在沿所述第一面指向所述第二面的方向上，所述第一金属层的厚度为1μm～100μm。11.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电结构凸出于所述电路区的所述第二面；所述半导体结构还包括：绝缘层，所述绝缘层位于所述电路区的所述第二面，且所述绝缘层还位于凸出的所述导电结构的侧面，所述第三金属层位于所述绝缘层表面。12.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘层包括：第一介质层，所述第一介质层位于所述电路区的所述第二面上，且所述第一介质层还位于所述凸出的所述导电结构的侧面；第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层与所述第三金属层之间。13.一种封装方法，其特征在于，包括：2CN115911007A权利要求书2/2页提供至少两个半导体结构，每一所述半导体结构包括相对的第一面和第二面，且所述半导体结构包括电路区以及支撑区，所述电路区的所述半导体结构内具有导电结构；所述半导体结构还包括：第一金属层以及第二金属层，