扇出型芯片的封装方法和临时封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863187A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211497317.1(22)申请日2022.11.24(71)申请人海光集成电路设计（北京）有限公司地址100193北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园一期27号楼C座5层501(72)发明人陆洋陈伯昌(74)专利代理机构北京兰亭信通知识产权代理有限公司11667专利代理师陈晓瑜(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图6页(54)发明名称扇出型芯片的封装方法和临时封装结构(57)摘要本发明提供一种扇出型芯片的封装方法和临时封装结构，其中封装方法包括：提供一临时载片；在所述临时载片的一侧形成定位层；在所述定位层上形成定位槽，所述定位槽与芯片适配，所述定位槽贯穿所述定位层；将所述芯片嵌入所述定位槽内；在所述定位层上形成封装体，所述封装体覆盖所述芯片。本发明能够精准控制芯片在封装过程中的偏移量。CN115863187ACN115863187A权利要求书1/1页1.一种扇出型芯片的封装方法，其特征在于，包括：提供一临时载片；在所述临时载片的一侧形成定位层；在所述定位层上形成定位槽，所述定位槽与芯片适配，所述定位槽贯穿所述定位层；将所述芯片嵌入所述定位槽内；在所述定位层上形成封装体，所述封装体覆盖所述芯片。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述临时载片的一侧形成定位层的步骤之前，所述封装方法还包括：在所述临时载片的表面形成粘接层；所述定位层通过所述粘接层固定于所述临时载片的一侧，所述粘接层用于与芯片粘接。3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述定位层的材料包括：光刻胶或玻璃。4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述定位层的材料为光刻胶；所述在所述定位层上形成定位槽的步骤包括：光刻所述定位层，以在所述定位层上形成所述定位槽。5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述定位槽的深度小于所述芯片的厚度。6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述定位槽的数量为多个。7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装方法，其特征在于，在所述定位层上形成封装体的步骤之后，所述封装方法还包括：打磨所述封装体，以露出所述芯片上的焊盘；在打磨后的所述封装体上形成重布线层；在所述重布线层上形成晶圆凸块，所述晶圆凸块通过所述重布线层与所述芯片电连接。8.根据权利要求1至6中任一项所述的封装方法，其特征在于，在所述定位层上形成封装体的步骤之后，所述封装方法还包括：去除临时衬底，以露出所述芯片上的焊盘，所述临时衬底包括所述临时载片；在所述定位层背离所述封装体的表面上形成重布线层；在所述重布线层上形成晶圆凸块，所述晶圆凸块通过所述重布线层与所述芯片电连接。9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在所述去除所述临时衬底的步骤之前，所述封装方法还包括：在所述封装体上贴装加固载片。10.一种采用如权利要求1至6中任一项所述的封装方法制备出的临时封装结构，其特征在于，包括：芯片、临时载片、定位层和封装体；所述定位层固定设置于所述临时载片的一侧，所述定位层开设有定位槽，所述定位槽贯穿所述定位层，所述芯片嵌入所述定位槽内并与所述临时载片贴合，所述封装体位于所述定位层背离所述临时载片的一侧，所述封装体覆盖所述芯片。2CN115863187A说明书1/6页扇出型芯片的封装方法和临时封装结构技术领域[0001]本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种扇出型芯片的封装方法和临时封装结构。背景技术[0002]Fanout(扇出)工艺是直接将裸片通过RDL(Redistributionlayer，重布线层)扇出到Bump(焊球)层，根据芯片键合和RDL顺序，Fanout工艺一般分为Chipfirst和Chiplast工艺。[0003]对于Chipfirst工艺，在芯片在晶圆级封装过程中，需要在芯片的外侧设置塑封料，以形成覆盖芯片的封装体。而在形成封装体的过程中，塑封料的流动会对芯片带来的冲力，该冲力会使得芯片在晶圆级封装后产生偏移。而芯片的偏移问题将会影响重布线层的密度。因此，在通过塑封料对芯片进行晶圆级封装的过程成为了Chipfirst工艺中较为重要的控制点。[0004]现有技术主要是通过键合胶膜的粘性抵抗因塑封料流动给芯片带来的冲力。但是现有的键合胶膜的受热变形和粘性程度的限制，使得键合胶膜无法精准控制芯片的偏移量。而若使用粘性较高的胶膜产品，则会对解键工艺和胶膜清洗工艺带来新的挑战。[0005]因此，如何在通过塑封料对芯片进行晶圆级封装的过程精准控制芯片的偏移量，成为亟需解决的难题。发明内容[0006]为解决