扇出型芯片封装方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115831770A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211558476.8(22)申请日2022.12.06(71)申请人通富微电子股份有限公司地址226004江苏省南通市崇川路288号(72)发明人陶玉娟姜艳石磊夏鑫(74)专利代理机构北京中知法苑知识产权代理有限公司11226专利代理师李明赵吉阳(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书15页附图11页(54)发明名称扇出型芯片封装方法(57)摘要本公开实施例提供一种扇出型芯片封装方法，包括：分别提供载板、多个硅片和多个芯片；分别在多个硅片上形成导电连接结构，以形成多个硅中介板；至少一个硅中介板上的导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；将每个硅中介板进行切割，获得多个子硅中介板；根据预设的封装要求，从多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将多个目标子硅中介板固定于载板；在多个目标子硅中介板背离载板的一侧形成第一塑封层；将多个芯片互连至多个目标子硅中介板上。该方法可以避免多个芯片互连至多个目标子硅中介板上时，目标子硅中介板产生翘曲或者破裂；多个子硅中介板重组后可以与多个芯片一次成型，提高了芯片封装的集成度。CN115831770ACN115831770A权利要求书1/2页1.一种扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：分别提供载板、多个硅片和多个芯片；分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，以形成多个硅中介板；其中，至少一个硅中介板上的所述导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；将每个所述硅中介板进行切割，获得多个子硅中介板；根据预设的封装要求，从所述多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将所述多个目标子硅中介板固定于所述载板；在所述多个目标子硅中介板背离所述载板的一侧形成第一塑封层；将所述多个芯片互连至所述多个目标子硅中介板上。2.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述从所述多个子硅中介板中选取多个目标子硅中介板，并将所述多个目标子硅中介板固定于所述载板，包括：至少一个所述目标硅中介块的所述导电连接结构与其它目标硅中介块的导电连接结构不同。3.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料，形成所述导电连接结构。4.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料；将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。5.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料；在所述多个盲孔上形成重布线层；将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。6.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述分别在所述多个硅片上形成导电连接结构，还包括：在至少一个所述硅片的正面形成多个盲孔；其中，至少一个所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔与其余所述硅片的正面上形成的所述多个盲孔不同；在所述多个盲孔内填充导电材料；在所述多个盲孔上形成重布线层；在所述重布线层上形成多个焊球；将所述硅片的背面减薄至露出所述多个盲孔，形成所述导电连接结构。2CN115831770A权利要求书2/2页7.根据权利要求1至6任一项所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述将所述多个芯片互连至所述多个目标子硅中介板上，包括：将所述多个芯片背离所述多个目标子硅中介板的一侧形成第二塑封层；通过键合结构，将所述多个芯片和所述第二塑封层朝向多个目标子硅中介板的一侧互连至所述多个目标子硅中介板朝向多个芯片的一侧；所述将所述多个芯片互连至所述多个目标子硅中介板上之后，所述方法还包括：在所述多个目标子硅中介板背离所述多个芯片的一侧形成第一线路层。8.根据权利要求7所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，所述在所述多个目标子硅中介板背离所述载板的一侧形成第一塑封层之后，或者，所述将所述多个芯片互连至所述多个目标子硅中介板上之后