一种硅片的双面抛光用的载具以及装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115847281A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211562983.9(22)申请日2022.12.07(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710065陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人衡鹏(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253专利代理师沈寒酉宋东阳(51)Int.Cl.B24B37/28(2012.01)B24B37/08(2012.01)B24B7/22(2006.01)B24B41/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种硅片的双面抛光用的载具以及装置(57)摘要本发明实施例公开了一种硅片的双面抛光用的载具以及装置；所述载具包括：呈圆盘状且具备圆形开口的本体；布设在所述本体的圆形开口内周一圈且呈圆环状的缓冲单元，所述缓冲单元被构造成被挤压产生变形之后仍能够使得硅片边缘的抛光量不超过目标抛光量。CN115847281ACN115847281A权利要求书1/1页1.一种硅片的双面抛光用的载具，其特征在于，所述载具包括：呈圆盘状且具备圆形开口的本体；布设在所述本体的圆形开口内周一圈且呈圆环状的缓冲单元，所述缓冲单元被构造成被挤压产生变形之后仍能够使得硅片边缘的抛光量不超过目标抛光量。2.根据权利要求1所述的载具，其特征在于，所述缓冲单元被构造成夹心结构状，所述夹心结构状的缓冲单元包含第一夹层结构，以及，完全包裹于所述第一夹层结构外周的第二夹层结构。3.根据权利要求2所述的载具，其特征在于，所述第一夹层结构为硬质材料，所述第二夹层结构为软质材料。4.根据权利要求2所述的载具，其特征在于，所述夹心结构状的缓冲单元被设置成在挤压变形之后的高度与所述硅片边缘抛光后的目标高度相同。5.根据权利要求1所述的载具，其特征在于，所述缓冲单元被构造成三明治结构状，所述三明治结构状的缓冲单元包括中间层结构，以及，设置于所述中间层结构两侧的外层结构。6.根据权利要求5所述的载具，其特征在于，所述中间层结构为硬质材料，所述外层结构为软质材料。7.根据权利要求5所述的载具，其特征在于，所述三明治结构状的缓冲单元的高度与所述硅片边缘抛光后的目标高度相同。8.根据权利要求1所述的载具，其特征在于，所述缓冲单元被构造成与所述硅片边缘相接触的部分的高度高于所述缓冲单元本体的高度。9.根据权利要求8所述的载具，其特征在于，所述缓冲单元中与所述硅片边缘相接触的部分被构造成在挤压变形之后的高度与所述硅片边缘抛光后的目标高度相同。10.一种硅片的双面抛光用的装置，其特征在于，所述装置包括：在上、下方向相对设置的上抛光头和下抛光头；分别设置在所述上抛光头的下面及所述下抛光头的上面的抛光垫；安装在所述上抛光头和所述下抛光头之间的中心部处的中心齿轮；安装在所述上抛光头和所述下抛光头之间的周缘部处的内齿轮；根据权利要求1至9任一项所述的载具。2CN115847281A说明书1/4页一种硅片的双面抛光用的载具以及装置技术领域[0001]本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种硅片的双面抛光用的载具以及装置。背景技术[0002]近年来，随着半导体行业的发展，对硅片的平坦度提出了更高的要求，除了目前为止作为平坦度评估指标的GBIR(整体背面一基准理想平面/范围Global，Backsurface‑referencedIdealplane/Range)、SFQR(部位正面基准最小二乘/范围，SiteFrontsurfacereferencedleastSquares/Range)、SBIR(部位背面一基准理想平面/范围，SiteBacksurface‑referencedIdealplane/Range)等，也开始使用以下新的指标：评估硅片平坦度的ROA(塌边量，RollOffAmount)，也称为边缘塌边量(EdgeRollOffAmount)、ESFQR(边缘部位正面基准最小二乘/范围，EdgeSiteFrontsurfacereferencedleastSquares/Range)；评估曲率变化的ZDD(Z高度双重微分，Z‑HeightDoubleDifferentiation)。[0003]双面抛光工艺是硅片获得局部平坦化和全局平坦化的最有效办法之一。但是在双面抛光过程中，由于硅片边缘受力状况、运动状况和磨粒聚集现象，容易造成塌边的现象。目前避免硅片边缘出现塌边现象的方法大多是改进抛光垫以改善塌边现象。发明内容[0004]有鉴于此，本发明实施例期望提供一种硅片的双面抛光用的载具以及装置；能够在双面抛光过程中避免塌边现象的发生。[0005]本发明实施例的技术方案是这样实现的