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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115990825A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202211687811.4(22)申请日2022.12.27(71)申请人西安奕斯伟材料科技股份有限公司地址710065陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人贺云鹏王贺(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253专利代理师宋东阳王渝(51)Int.Cl.B24B29/02(2006.01)B24B41/06(2012.01)B24B57/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图5页(54)发明名称一种硅片双面抛光用的载具、双面抛光装置及硅片(57)摘要本发明实施例公开了一种硅片双面抛光用的载具、双面抛光装置及硅片;所述载具包括:呈圆盘状且具备圆形开口的第一本体;布设在所述第一本体的圆形开口内的第二本体,所述第二本体被构造成能够从所述第一本体上进行拆卸;布设在所述第二本体内周一圈且呈圆环状的缓冲单元,用于形成承载硅片的保持孔;其中,在进行双面抛光之前,所述第二本体被从所述第一本体上拆卸并进行预处理以降低自身的温度。CN115990825ACN115990825A权利要求书1/1页1.一种硅片双面抛光用的载具,其特征在于,所述载具包括:呈圆盘状且具备圆形开口的第一本体;布设在所述第一本体的圆形开口内的第二本体,所述第二本体被构造成能够从所述第一本体上进行拆卸;布设在所述第二本体内周一圈且呈圆环状的缓冲单元,用于形成承载硅片的保持孔;其中,在进行双面抛光之前,所述第二本体被从所述第一本体上拆卸并进行预处理以降低自身的温度。2.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述第二本体的预处理温度为15℃~20℃。3.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述第二本体的周向外边缘设置有第一凸部或第一凹部,以分别与所述第一本体上对应的第二凹部或第二凸部相配合连接。4.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述第二本体的周向外边缘被设置呈齿状,以与所述第一本体上对应的齿状部分相啮合连接。5.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述第二本体的材质为不锈钢或陶瓷。6.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述第二本体中的上、下表面以及与所述第一本体相接触的侧表面均涂覆有隔热材料,所述隔热材料为聚偏氟乙烯或聚醚醚酮。7.一种硅片双面抛光用的装置,其特征在于,所述装置包括多个根据权利要求1至6任一项所述的载具。8.一种硅片,其特征在于,所述硅片由权利要求7所述的装置双面抛光得到。2CN115990825A说明书1/4页一种硅片双面抛光用的载具、双面抛光装置及硅片技术领域[0001]本发明实施例涉及硅片加工技术领域,尤其涉及一种硅片双面抛光用的载5具、双面抛光装置及硅片。背景技术[0002]近年来,随着半导体行业的发展,对硅片的平坦度提出了更高的要求。在硅片制造过程中,可以通过抛光工艺对硅片的平坦度进行改善。硅片表面的抛[0003]光工艺通常包括对硅片的正、背两面进行抛光的双面抛光工艺和仅对硅片的正0面进行抛光的最终抛光工艺。[0004]在双面抛光工艺中,被放置于载具中的硅片的正、背两面通过上、下定盘上设置的抛光垫同时被抛光。但是,在双面抛光过程中,抛光液会在硅片的边缘处聚集在载具的圆形开口与硅片的边缘之间的缝隙中,从而使得硅片侧边区[0005]域接触的抛光液的含量大于其他区域,导致硅片边缘的抛磨程度变大;另一方5面,由于在双面抛光过程中载具绕中心驱动轴旋转并因此带动硅片转动,离心[0006]力的作用也会使得抛光液向硅片的边缘聚集,这种情况下也会导致硅片边缘的抛磨程度变大,由此硅片边缘的抛磨程度大于其中间区域的抛磨程度,从而造成硅片边缘的平坦度恶化。发明内容[0007]0有鉴于此,本发明实施例期望提供一种硅片双面抛光用的载具、双面抛光装置及硅片;能够降低硅片边缘的抛磨程度,从而缩小硅片边缘区域与中间区域的抛磨程度差异以改善硅片边缘及整体的平坦度。[0008]本发明实施例的技术方案是这样实现的:[0009]第一方面,本发明实施例提供了一种硅片双面抛光用的载具,所述载具包括:[0010]呈圆盘状且具备圆形开口的第一本体;[0011]布设在所述第一本体的圆形开口内的第二本体,所述第二本体被构造成能够从所述第一本体上进行拆卸;[0012]布设在所述第二本体内周一圈且呈圆环状的缓冲单元,用于形成承载硅片的保持孔;[0013]其中,在进行双面抛光之前,所述第二本体被从所述第一本体上拆卸并进行预处理以降低自身的温度。[0014]第二方面,本发明实施例提供了一种硅片双面抛光用的装置,所述装置包括多个根据第一方面所述的载具。[0015]第三方面,本发明实施例提供了一种硅片,