硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116000784A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202211718374.8(22)申请日2022.12.29(71)申请人西安奕斯伟材料科技股份有限公司地址710065陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人贺云鹏王贺(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253专利代理师宋东阳王渝(51)Int.Cl.B24B29/02(2006.01)B24B41/06(2012.01)B24B41/04(2006.01)B24B57/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置(57)摘要本发明实施例公开了一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置，所述承载件包括：形成有通孔的本体；衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬，所述内衬用于容置硅片，其中，所述内衬具有多孔疏水结构，使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述多孔疏水结构中的孔隙疏散。根据本发明实施例的承载件能够使硅片的周缘处的抛光液的量减小，改善抛光程度不均匀性，提高硅片表面平坦度。CN116000784ACN116000784A权利要求书1/1页1.一种硅片双面抛光装置的承载件，其特征在于，所述承载件包括：形成有通孔的本体；衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬，所述内衬用于容置硅片，其中，所述内衬具有多孔疏水结构，使得聚集在所述硅片的外周面与所述内衬的内周面之间的间隙中的抛光液能够经由所述多孔疏水结构中的孔隙疏散。2.根据权利要求1所述的承载件，其特征在于，所述内衬由多孔材料制成。3.根据权利要求2所述的承载件，其特征在于，所述多孔材料的孔隙率介于40％至60％之间。4.根据权利要求2或3所述的承载件，其特征在于，所述多孔材料为多孔陶瓷。5.根据权利要求4所述的承载件，其特征在于，所述多孔陶瓷的材质为耐水、耐酸碱的纯炭质材料。6.根据权利要求1或2所述的承载件，其特征在于，所述本体形成有三个通孔，所述三个通孔在所述本体中均匀分布。7.一种硅片双面抛光装置，其特征在于，所述硅片双面抛光装置包括根据权利要求1至6中任一项所述的承载件。8.根据权利要求7所述的硅片双面抛光装置，其特征在于，所述本体呈圆盘状并且具有本体外齿，并且硅片双面抛光装置还包括：内齿圈，所述内齿圈具有内齿圈外齿；设置在所述内齿圈外围的外齿圈，所述外齿圈具有外齿圈内齿；其中，所述本体外齿用于与所述内齿圈外齿以及所述外齿圈内齿啮合。9.根据权利要求8所述的硅片双面抛光装置，其特征在于，所述硅片双面抛光装置还包括分别设置在所述承载件的上方和下方以夹持所述承载件的上抛光垫和下抛光垫。10.根据权利要求9所述的硅片双面抛光装置，其特征在于，所述硅片双面抛光装置还包括设置在所述上抛光垫的上方的上定盘和设置在所述下抛光垫下方的下定盘，所述上定盘和所述下定盘用于提供使所述上抛光垫和所述下抛光垫夹持所述承载件的夹持力。2CN116000784A说明书1/3页硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置技术领域[0001]本发明涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置。背景技术[0002]在半导体硅片的生产工艺中，通常需要对硅片进行双面抛光，以去除硅片成型处理过程中产生在硅片表面的损伤并将硅片表面形成为镜面状，这一处理过程通常是利用硅片双面抛光装置来完成的。[0003]在硅片双面抛光装置中，硅片承载在承载件中。具体地，承载件可以设置在上下抛光垫之间并且可以形成有将承载件贯穿的容置部，硅片可以容置在该容置部中，以随承载件一起相对于上下抛光垫运动，由此实现使硅片的两个圆形主表面都被上下抛光垫抛光。[0004]在上述抛光过程中，来自抛光垫的抛光液会聚集在硅片的外周面与容置部的内周壁之间的间隙中，从而使硅片的周缘处的抛光液的量增大，导致硅片的两个圆形主表面中靠近于硅片的周缘处的部分的抛光程度增大，从而导致硅片的表面平坦度恶化。[0005]随着半导体技术的不断发展，对硅片表面平坦度要求越来越高，由于上述问题的存在，常规的硅片双面抛光装置已无法满足这样的要求。发明内容[0006]为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置，能够降低硅片的周缘处的抛光程度，从而减小硅片的周缘处与中央处的抛光程度之间的差异，改善硅片表面平坦度。[0007]本发明的技术方案是这样实现的：[0008]第一方面，本发明实施例提供了一种硅片双面抛光装置的承载件，所述承载件包括：[0009]形成有通孔的本体；[0010]衬入在所述本体的通孔中的环状的内衬，所述