具有改进的电互连结构的半导体器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881731A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211129273.7(22)申请日2022.09.16(30)优先权数据10-2021-01270892021.09.27KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人朴判济崔秀斌朴哲弘(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021专利代理师孙尚白倪斌(51)Int.Cl.H01L27/092(2006.01)H01L23/528(2006.01)H01L23/48(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图18页(54)发明名称具有改进的电互连结构的半导体器件(57)摘要一种半导体器件包括：有源区，在衬底上沿第一方向延伸；栅电极，与有源区相交并沿垂直于第一方向的第二方向延伸；接触结构，在栅电极的一侧设置在有源区上并沿第二方向延伸；以及第一过孔，设置在接触结构上以连接到接触结构，并且第一过孔具有在第二方向上的长度大于在第一方向上的长度的形状。多个第一金属互连被设置，多个第一金属互连在第一过孔上沿第一方向延伸并连接到第一过孔。第二过孔被设置，第二过孔设置在多个第一金属互连上以连接到多个第一金属互连，并且第二过孔具有在第二方向上的长度大于在第一方向上的长度的形状。CN115881731ACN115881731A权利要求书1/3页1.一种半导体器件，包括：衬底上沿第一方向延伸的有源区；栅电极，与所述有源区相交并沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；接触结构，在所述栅电极的一侧设置在所述有源区上并沿所述第二方向延伸；第一过孔，设置在所述接触结构上以连接到所述接触结构，并且所述第一过孔具有在所述第二方向上的长度大于在所述第一方向上的长度的形状；多个第一金属互连，在所述第一过孔上沿所述第一方向延伸并连接到所述第一过孔；以及第二过孔，设置在所述多个第一金属互连上以连接到所述多个第一金属互连，并且所述第二过孔具有在所述第二方向上的长度大于在所述第一方向的长度的形状。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一过孔和所述第二过孔中的每一个被设置为与所述多个第一金属互连相交。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一金属互连包括彼此平行且彼此间隔开的一对第一金属互连，以及其中，所述一对第一金属互连与所述第一过孔接触。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述一对第一金属互连包括在所述第二方向上彼此面向的部分。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一过孔具有在所述第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，以及其中，所述多个第一金属互连包括：第一线图案，设置为与所述第一过孔的上表面的第一部分接触并在所述第一过孔的所述第一侧表面上延伸；以及第二线图案，设置为与所述第一过孔的所述上表面的第二部分接触并在所述第一过孔的所述第二侧表面上延伸。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一金属互连具有过孔形状使得所述多个第一金属互连中的每一个的端部被设置为与所述第一过孔的侧表面相邻。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第一过孔的在所述第二方向上彼此相对的端部中，至少一个端部被设置为在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上与所述多个第一金属互连重叠。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述第一过孔、所述多个第一金属互连和所述第二过孔形成网格图案。9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二金属互连，设置在所述第二过孔上以连接到所述第二过孔并沿所述第二方向延伸，所述第二金属互连在垂直于所述第二过孔的上表面的方向上与所述第二过孔的上表面的一部分接触。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触结构连接到源/漏区，所述源/漏区在与所述栅电极相邻的相对侧设置在所述有源区上。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区包括：有源鳍，从所述衬底突出；以及多个沟道层，所述多个沟道层被堆叠在所述有源鳍上以彼此竖直地间隔开。12.一种半导体器件，包括：衬底上的沟道区和第一源/漏区；2CN115881731A权利要求书2/3页栅电极，在所述衬底上与所述沟道区重叠；第一接触结构，连接到所述第一源/漏区；多个第一金属互连，设置在所述第一接触结构上，沿平行于所述衬底的上表面的第一方向延伸，并且彼此间隔开；第一过孔，在所述第一接触结构和所述多个第一金属互连之间与所述第一接触结构和所述多个第一金属互连接触；以及第二过孔，在所述多个第一金属互连上与所述多个第一金属互连接触。13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一过孔的上表面包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述多个第一金属互连的第一线图案接触，所述第二部分与所述多个