互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106531805A(43)申请公布日2017.03.22(21)申请号201610683475.4H01L21/768(2006.01)(22)申请日2016.08.18(30)优先权数据62/216,9022015.09.10US14/993,0242016.01.11US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人林瑀宏刘继文曾鸿辉(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L29/78(2006.01)H01L23/538(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图16页(54)发明名称互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件(57)摘要一种半导体器件包括半导体衬底、存在于半导体衬底中的接触区和位于接触区的纹理化的表面上的硅化物。多个溅射残留物存在于硅化物和接触区之间。由于接触区的表面被纹理化，因此由硅化物提供的接触面积相应的增加，从而降低了半导体器件中的互连结构的电阻。本发明实施例涉及互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件。CN106531805ACN106531805A权利要求书1/1页1.一种半导体器件，包括：半导体衬底：接触区，存在于所述半导体衬底中，其中，所述接触区包括纹理化的表面；硅化物，位于所述接触区上；以及多个溅射残留物，存在于所述硅化物和所述接触区之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述溅射残留物是氩离子、氖离子、氪离子或氙离子。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触区是外延结构。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触区是半导体垫。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述硅化物和所述接触区之间的界面是不规则的。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括存在于所述半导体衬底上的介电层，所述介电层包括开口以暴露所述硅化物的部分。7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：填充所述开口的导体；以及阻挡层，位于所述开口的侧壁上和所述硅化物上。8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：金属层，存在于所述开口的所述侧壁和所述阻挡层之间，其中，所述金属层不存在于所述硅化物和所述阻挡层之间。9.一种互连结构，包括：硅化物，存在于接触区上，其中，纹理化所述接触区和所述硅化物之间的界面，以及多个溅射残留物存在于所述硅化物中；导体，存在于所述硅化物上；以及阻挡层，存在于所述导体和所述硅化物之间。10.一种制造互连结构的方法，所述方法包括：在介电层中形成开口以暴露接触区的部分；实施物理去除工艺以纹理化所述接触区的表面；在所述接触区的被纹理化的所述表面上形成金属层；在所述金属层上形成阻挡层；以及实施退火工艺，其中，所述金属层与所述接触区反应从而在所述接触区和所述阻挡层之间形成硅化物。2CN106531805A说明书1/9页互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件技术领域[0001]本发明实施例涉及互连结构及其制造方法以及使用互连结构的半导体器件。背景技术[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了高速发展。顾名思义，现代集成电路由数百万个诸如晶体管和电容器的有源器件构成。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代IC都具有比上一代更小和更复杂的电路。最初这些器件相互隔离，但是，随后通过多个金属层互连在一起以形成功能电路。随着IC变的越来越复杂，互连结构也变的更复杂，导致了金属层数量的增加。[0003]互连部件包括诸如金属线(布线)的横向互连件和诸如导电通孔和接触件的垂直互连件。然而，复杂的互连件限制了现代集成电路的性能和密度发明内容[0004]根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底：接触区，存在于所述半导体衬底中，其中，所述接触区包括纹理化的表面；硅化物，位于所述接触区上；以及多个溅射残留物，存在于所述硅化物和所述接触区之间。[0005]根据本发明的另一个实施例，还提供了一种互连结构，包括：硅化物，存在于接触区上，其中，纹理化所述接触区和所述硅化物之间的界面，以及多个溅射残留物存在于所述硅化物中；导体，存在于所述硅化物上；以及阻挡层，存在于所述导体和所述硅化物之间。[0006]根据本发明的又另一实施例，还提供了一种制造互连结构的方法，所述方法包括：在介电层中形成开口以暴露接触区的部分；实施物理去除工艺以纹理化所述接触区的表面；在所述接触区的被纹理化的所述表面上形成金属层；在所述金属层上形成阻挡层；以及实施退火工艺，其中，所述金属层与所述接触区反应从而在所述接触区和所述阻挡层之间形成硅化物。附图说明[0007]当结合