互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115910993A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202210692897.3(22)申请日2022.06.17(30)优先权数据10-2021-01065942021.08.12KR(71)申请人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道(72)发明人金宗洙(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限公司11363专利代理师许伟群李少丹(51)Int.Cl.H01L23/528(2006.01)H01L21/768(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图14页(54)发明名称互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法(57)摘要本公开涉及一种互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法。本公开的各个实施例通过经由单个间隙填充处理同时形成延各个方向延伸的互连件来提高半导体器件的集成度。本发明的实施例提供了一种能够简化半导体处理的互连结构、包括该互连结构的半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法。根据本公开的一个实施例，一种互连结构包括：多个互连件的堆叠，其中，多个互连件中的至少两层沿不同方向延伸，并且至少两层的下部互连件的上表面的一部分与至少两层的上部互连件的下表面的一部分直接接触。CN115910993ACN115910993A权利要求书1/2页1.一种互连结构，包括：多个互连件的堆叠，其中，所述多个互连件中的至少两层沿不同方向延伸，以及所述至少两层的下部互连件的上表面的一部分与所述至少两层的上部互连件的下表面的一部分直接接触。2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述上部互连件的线宽与所述下部互连件的线宽相同或大于所述下部互连件的线宽。3.一种半导体器件，包括：第一互连件，其在衬底之上沿第一方向延伸；第一接触件，其连接所述第一互连件和所述衬底；以及第二互连件，其形成在所述第一互连件之上，与所述第一互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一互连件的上表面和所述第二互连件的下表面位于相同的水平。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的线宽与所述第一互连件的线宽相同或者大于所述第一互连件的线宽。6.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括第三互连件，所述第三互连件在所述第二互连件之上形成，与所述第二互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第二方向不同的第三方向延伸。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的上表面和所述第三互连件的下表面位于相同的水平。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第三互连件的线宽与所述第二互连件的线宽相同或者大于所述第二互连件的线宽。9.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：第三互连件，其形成在所述第二互连件之上并且沿第三方向延伸；以及第二接触件，其两个端部分别与所述第二互连件和所述第三互连件直接接触。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的上表面位于比所述第三互连件的下表面更低的水平。11.一种半导体器件，包括：第一互连件，其形成在衬底之上并且沿第一方向延伸；第一接触件，其连接所述第一互连件和所述衬底；第二互连件，其形成在所述第一互连件之上并且沿第二方向延伸；第二接触件，其连接所述第一互连件和所述第二互连件；以及第三互连件，其形成在所述第二互连件之上，与所述第二互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第二方向不同的第三方向延伸。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的上表面和所述第三互连件的下表面位于相同的水平。13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第三互连件的线宽与所述第二互连件的线宽相同或大于所述第二互连件的线宽。2CN115910993A权利要求书2/2页14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二互连件和所述第三互连件的厚度小于所述第一互连件的厚度。15.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括第四互连件，所述第四互连件形成在所述第三互连件之上，与所述第三互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第三方向不同的第四方向延伸。16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第三互连件的上表面和所述第四互连件的下表面位于相同的水平。17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第四互连件的线宽与所述第三互连件的线宽相同或者大于所述第三互连件的线宽。18.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第四互连件的线宽小于所述第一互连件的线宽。19.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：第四互连件，其形成在所述第三互连件之上并且沿第四方向延伸；以及第三接触件，其两个端部分别与所述第三互连件和所述第四互连件直接接触。20.一种用于制造半导体器件