半导体封装结构及其形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113851436A(43)申请公布日2021.12.28(21)申请号202110995117.8(22)申请日2021.08.27(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市(72)发明人叶昶麟黄耀霆(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L23/44(2006.01)H01L23/043(2006.01)H01L23/00(2006.01)H01L21/52(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图10页(54)发明名称半导体封装结构及其形成方法(57)摘要本发明的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：基板；盖，位于基板的上表面上；多个电子元件，设置在位于基板和盖之间的容置空间中；阻隔层，位于基板的上表面上，阻隔层位于电子元件和基板之间。本发明的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以优化半导体封装结构的性能。CN113851436ACN113851436A权利要求书1/2页1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板；盖，位于所述基板的上表面上；多个电子元件，设置在位于所述基板和所述盖之间的容置空间中；阻隔层，位于所述基板的所述上表面上，所述阻隔层位于所述电子元件和所述基板之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，冷却液填充所述容置空间并且接触所述电子元件。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述阻隔层是覆盖所述基板的所述上表面的底部填充材料以及位于所述底部填充材料上的金属层。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多个电子元件包括与所述基板直接电连接的第一电子元件以及位于所述第一电子元件上的第二电子元件，所述底部填充材料接触所述基板的所述上表面以及所述第一电子元件的底面和侧壁，所述金属层位于所述底部填充材料的上表面上。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述盖设置在所述金属层上，所述金属层位于所述盖和所述底部填充材料之间。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述阻隔层是覆盖所述基板的所述上表面的防水材料。7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述防水材料是防水胶，所述多个电子元件包括与所述基板直接电连接的第一电子元件，所述防水胶接触所述基板的所述上表面以及所述第一电子元件的底面和侧壁。8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述盖设置在所述防水胶上，所述防水胶位于所述盖和所述基板之间。9.根据权利要求4‑5、7‑8任一项所述的半导体封装件，其特征在于，所述多个电子元件还包括位于所述第一电子元件上的第二电子元件。10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述盖上开设有贯穿所述盖的第一开口和第二开口，冷却液从所述第一开口进入所述容置空间，并从所述第二开口离开所述容置空间。11.一种形成半导体封装结构的方法，其特征在于，包括：提供基板；将第一电子元件设置在所述基板的上表面上；形成位于所述基板的所述上表面及所述第一电子元件之间的阻隔层；在所述基板的所述上表面形成盖，所述第一电子元件位于由所述基板和所述盖围成的容置空间中。12.根据权利要求11所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，所述盖具有第一开口和第二开口，冷却液从所述第一开口进入所述容置空间，并从所述第二开口离开所述容置空间，所述冷却液接触所述第一电子元件。13.根据权利要求11所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在将所述第一电子元件设置在所述基板的所述上表面上之后，将第二电子元件设置在所述第一电子元件上。2CN113851436A权利要求书2/2页14.根据权利要求13所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，所述阻隔层是防水材料。15.根据权利要求14所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，所述阻隔层是防水胶，所述防水胶从所述第一电子元件旁流入所述第一电子元件与所述基板之间，所述防水胶还接触所述第一电子元件的侧壁。16.根据权利要求15所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，所述盖形成在所述防水胶上。17.根据权利要求11所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，在形成所述第一电子元件之后，形成位于所述第一电子元件上的保护层；形成位于所述基板的所述上表面和所述第一电子元件之间的底部填充材料；在所述底部填充材料以及所述保护层上形成金属层；去除位于所述第一电子元件上方的所述金属层的部分以及所述保护层。18.根据权利要求17所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，所述底部填充材料从所述第一电子元件旁流入所述第一电子元件与所述基板之间，所述底部填充材料还接触所述