一种散热性能优越的芯片封装结构及其封装方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881658A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211555110.5(22)申请日2022.12.06(71)申请人华天科技（南京）有限公司地址211806江苏省南京市浦口区桥林街道丁香路16号(72)发明人李伟刘卫东(74)专利代理机构苏州国诚专利代理有限公司32293专利代理师陈松(51)Int.Cl.H01L23/367(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/48(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种散热性能优越的芯片封装结构及其封装方法(57)摘要本发明公开了一种散热性能优越的芯片封装结构及其封装方法，所述封装结构包括：基板、芯片、底部填充胶、散热胶、散热铜柱、电感元器件、塑封体、附着层、阻挡层和散热黏着层，所述散热黏着层溅镀在阻挡层表面。本发明采用纵向叠加的方式在芯片上叠加散热铜柱，利用金属铜的导热属性，将芯片的温度引到塑封体的表面，可提高散热速度，保证芯片稳定运行。CN115881658ACN115881658A权利要求书1/1页1.一种散热性能优越的芯片封装结构，其特征在于，包括：基板；芯片，所述芯片位于基板上且与基板电连接；底部填充胶，所述底部填充胶位于基板上围绕芯片的底部及侧面填充；散热胶，所述散热胶粘接在芯片上；散热铜柱，所述散热铜柱粘接在散热胶上；电感元器件，所述电感元器件位于基板上且与基板电连接；塑封体，所述塑封体位于基板上，将芯片、底部填充胶、散热胶、散热铜柱、电感元器件封装在内部，其中散热铜柱的顶部裸露到塑封体外；附着层，所述附着层溅镀在塑封体表面；阻挡层，所述阻挡层溅镀在附着层表面；散热黏着层，所述散热黏着层溅镀在阻挡层表面。2.根据权利要求1所述的一种散热性能优越的芯片封装结构，其特征在于，所述基板内置有金属焊盘，底部植有第一植球，所述第一植球与金属焊盘导通。3.根据权利要求2所述的一种散热性能优越的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片底部植有第二植球，所述第二植球与金属焊盘也导通。4.根据权利要求2所述的一种散热性能优越的芯片封装结构，其特征在于，所述电感元器件通过导线与金属焊盘接通。5.根据权利要求1所述的一种散热性能优越的芯片封装结构，其特征在于，所述附着层采用Ti金属。6.根据权利要求1所述的一种散热性能优越的芯片封装结构，其特征在于，所述阻挡层采用NiV合金。7.根据权利要求1所述的一种散热性能优越的芯片封装结构，其特征在于，所述散热黏着层采用Cu金属。8.一种散热性能优越的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将芯片用底部填充胶封装在基板上，电感元器件用导线与基板导通；步骤二：在芯片表面点上散热胶，再将散热铜柱粘接到散热胶上；步骤三：采用塑封体将芯片、底部填充胶、散热胶、散热铜柱、电感元器件进行封装，封装后对塑封体表面进行打磨，使得散热铜柱的顶部裸露到塑封体外；步骤四：在塑封体表面溅镀一层Ti金属层，作为附着层，再溅镀一层NiV合金层，作为阻挡层，最后再溅镀一层Cu金属层作为散热黏着层。9.根据权利要求8所述的一种散热性能优越的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，所述步骤四溅镀Ti金属层前用离子清洗剂对塑封体表面进行清洗，增加塑封体表面的粗糙度。2CN115881658A说明书1/3页一种散热性能优越的芯片封装结构及其封装方法技术领域：[0001]本发明属于半导体芯片封装技术领域，特别涉及一种散热性能优越的芯片封装结构及其封装方法。背景技术：[0002]在封装工业电源类模组产品时，通常需要有电感元器件的介入，但是电感元器件本身尺寸大，而大尺寸的电感元器件也会造成塑封体过厚，从而芯片运行时热量难以散出，芯片过热运行则会影响运行速度，因此，需要对封装结构进行优化，以改善芯片运行过程中的发热问题。[0003]公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。发明内容：[0004]本发明的目的在于提供一种散热性能优越的芯片封装结构及其封装方法，从而克服上述现有技术中的缺陷。[0005]为了实现上述目的，本发明提供了一种散热性能优越的芯片封装结构，包括：[0006]基板；[0007]芯片，所述芯片位于基板上且与基板电连接；[0008]底部填充胶，所述底部填充胶位于基板上围绕芯片的底部及侧面填充；[0009]散热胶，所述散热胶粘接在芯片上；[0010]散热铜柱，所述散热铜柱粘接在散热胶上；[0011]电感元器件，所述电感元器件位于基板上且与基板电连接；[00