芯片封装结构及其封装方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115910938A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202110983730.8(22)申请日2021.08.25(71)申请人江阴长电先进封装有限公司地址214400江苏省无锡市江阴市长山大道78号(72)发明人徐虹陈栋徐霞金豆陈锦辉(74)专利代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235专利代理师孙凤(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称芯片封装结构及其封装方法(57)摘要本发明提供一种芯片封装结构及其封装方法，芯片封装结构包括硅基板、位于所述硅基板的正面的钝化层、位于所述钝化层的正面的介电层、至少包覆所述硅基板的侧壁的塑封层，所述硅基板的正面嵌设有芯片电极，所述钝化层以及所述介电层上设有供所述芯片电极向外暴露的导通孔，所述芯片电极的正面连接有金属凸块；所述塑封层靠近所述硅基板的正面的一端与所述钝化层相接合；相较于现有的所述塑封层与所述介电层相接合，增加了所述塑封层与芯片之间的结合力，所述塑封层不易因受力而脱落，同时，在封装过程中，所述钝化层使芯片之间相互固定在一起，能够防止塑封过程中芯片移位，提升了最终产品的可靠性，改善了最终产品的良率。CN115910938ACN115910938A权利要求书1/2页1.一种芯片封装结构，包括硅基板、位于所述硅基板的正面的钝化层、位于所述钝化层的正面的介电层、至少包覆所述硅基板的侧壁的塑封层，所述硅基板的正面嵌设有芯片电极，所述钝化层以及所述介电层上设有供所述芯片电极向外暴露的导通孔，所述芯片电极的正面连接有金属凸块；其特征在于：所述塑封层靠近所述硅基板的正面的一端与所述钝化层相接合。2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述钝化层的周缘具有凹槽，所述塑封层靠近所述硅基板的正面的一端位于所述凹槽内。3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于：形成所述凹槽的钝化层的厚度至少为与所述硅基板相配合的钝化层的厚度的25％。4.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片封装结构还包括设置于所述硅基板的背面的导电加强层。5.如权利要求1或4所述的芯片封装结构，其特征在于：所述塑封层包覆所述硅基板的侧壁以及背面。6.如权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片封装结构还包括位于所述塑封层的背面的第一背面保护层。7.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述塑封层包覆所述硅基板的侧壁；所述芯片封装结构还包括第二背面保护层，所述第二背面保护层覆盖于所述硅基板的背面以及所述塑封层靠近所述硅基板的背面的一侧。8.一种芯片封装结构的封装方法，其特征在于：所述芯片封装结构的封装方法包括如下步骤：S1：取晶圆，所述晶圆的正面具有芯片电极、钝化层，所述钝化层具有供所述芯片电极向外暴露的第一导通孔；S2：在所述晶圆的正面形成覆盖所述晶圆的介电层，所述介电层具有贯穿设置且与所述第一导通孔相连通的第二导通孔；S3：在所述芯片电极的正面成型金属凸块；S4：在介电层的正面键合覆盖所述介电层的支撑载体；S5：自所述晶圆的背面向所述晶圆的正面蚀刻至所述钝化层，形成划片槽以及被所述划片槽分隔的硅基板；S6：在具有划片槽的晶圆上成型塑封层，所述塑封层至少包覆硅基板的侧壁；S7：去除所述支撑载体；S8：沿所述划片槽切割，形成独立的芯片封装结构。9.如权利要求8所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于：“自所述晶圆的背面向所述晶圆的正面蚀刻至所述钝化层以形成划片槽”中蚀刻至所述钝化层的深度不大于所述钝化层厚度的75％。10.如权利要求8所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于：步骤S4与S5之间还包括如下步骤：对晶圆的背面进行减薄工艺，将晶圆减薄至预设厚度。11.如权利要求8所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于：步骤S4与S5之间还包括如下步骤：在所述晶圆的背面形成导电加强层。12.如权利要求8所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于：步骤S6中的所述塑封2CN115910938A权利要求书2/2页层塑封所述硅基板裸露的侧壁，在步骤S6与S7之间，所述芯片封装结构的封装方法还包括如下步骤：在所述晶圆的背面以及所述塑封层与所述晶圆的背面相对应的一侧形成第二背面保护层；或者，步骤S6中的所述塑封层塑封所述硅基板裸露的侧壁以及背面，在步骤S6与S7之间，所述芯片封装结构的封装方法还包括如下步骤：在所述塑封层的背面形成第一背面保护层。3CN115910938A说明书1/6页芯片封装结构及其封装方法技术领域[0001]本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构及其封装方法。背景技术[0002]传