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双轴取向SiC复合基板(10)具备:第一双轴取向SiC层(20),其包含贯通螺旋位错以及基底面位错;以及第二双轴取向SiC层(30),其与第一双轴取向SiC层(20)连续地形成,并含有1×1016atoms/cm3以上且1×1019atoms/cm3以下的稀土元素。第二双轴取向SiC层(30)的表面的缺陷密度小于第一双轴取向SiC层(20)的缺陷密度。