双轴取向SiC复合基板以及半导体器件用复合基板.pdf
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双轴取向SiC复合基板以及半导体器件用复合基板.pdf
双轴取向SiC复合基板(10)具备:第一双轴取向SiC层(20),其包含贯通螺旋位错以及基底面位错;以及第二双轴取向SiC层(30),其与第一双轴取向SiC层(20)连续地形成,并含有1×10<base:Sup>16</base:Sup>atoms/cm<base:Sup>3</base:Sup>以上且1×10<base:Sup>19</base:Sup>atoms/cm<base:Sup>3</base:Sup>以下的稀土元素。第二双轴取向SiC层(30)的表面的缺陷密度小于第一双轴取向SiC层(20)
复合基板的制造方法以及复合基板.pdf
针对于通过粘合层粘接压电基板与支持基板的复合基板,防止其在内部产生气泡。(a)准备背面(11a)上形成有微小凹凸的压电基板(21),以及热膨胀系数小于压电基板(21)的支持基板(12);(b)在背面(11a)上涂布填充剂以填埋微小凹凸,形成填充层(23);(c)对填充层(23)的表面进行镜面研磨,使其轮廓算术平均偏差Ra小于(a)中的背面(11a);(d)通过粘合层(14)粘接填充层(13)的表面(13a)与支持基板(12)的表面,形成复合基板(20)。
光器件、半导体基板、光器件的制造方法、以及半导体基板的制造方法.pdf
提供一种光器件,具备:基底基板,包含硅;多个种晶,设置在基底基板上;以及多个3-5族化合物半导体,与多个种晶晶格匹配或者准晶格匹配,其中,在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有光电半导体,该光电半导体包含根据供给的驱动电流来输出光的发光半导体、或者接收光的照射来产生光电流的感光半导体,在多个3-5族化合物半导体中的具有光电半导体的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有异质结晶体管。
陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法.pdf
本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板,在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下,由前述一对对角线划分出的4个区域中,隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置,另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置,前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。
电子基板的制造方法、复合片以及电子基板.pdf
本发明涉及电子基板的制造方法、复合片以及电子基板。本发明提供一种能够使用树脂材料高效且可靠地强化电子部件与基板的焊料接合部的手段。电子基板的制造方法具有:准备具有包含焊料部以及树脂部的复合层的复合片的工序;将上述复合层载置于基板上的工序;将第一电子部件载置于上述复合层上的工序;以及在回流炉内加热到上述复合层的上述焊料部熔融的温度的工序。