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光器件、半导体基板、光器件的制造方法、以及半导体基板的制造方法.pdf
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光器件、半导体基板、光器件的制造方法、以及半导体基板的制造方法.pdf
提供一种光器件，具备：基底基板，包含硅；多个种晶，设置在基底基板上；以及多个3-5族化合物半导体，与多个种晶晶格匹配或者准晶格匹配，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有光电半导体，该光电半导体包含根据供给的驱动电流来输出光的发光半导体、或者接收光的照射来产生光电流的感光半导体，在多个3-5族化合物半导体中的具有光电半导体的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有异质结晶体管。
2023-06-14
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半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法.pdf
提供一种半导体器件，在Ge基板上形成的P沟道型MISFET的第一源极及第一漏极由以下化合物构成：Ge原子与镍原子的化合物；Ge原子与钴原子的化合物；或Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成，在由III-V族化合物半导体构成的半导体晶体层上形成的N沟道型MISFET的第二源极及第二漏极由以下化合物构成：III族原子及V族原子、与镍原子的化合物；III族原子及V族原子、与钴原子的化合物；或III族原子及V族原子、与镍原子及钴原子的化合物构成。
2023-06-14
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半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法.pdf
本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。
2023-06-14
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半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件.pdf
本发明提供一种半导体基板，其具有：第1半导体、及在第1半导体的上方形成的第2半导体；第2半导体具有：显示P型的传导型杂质或显示N型的传导型的第1杂质原子，和使所述第2半导体的费米能级接近于所述第2半导体不具有所述第1杂质原子时的费米能级的第2杂质原子。作为一个例子，该第2半导体的多数载流子是电子，第2杂质原子使具有第1杂质原子的第2半导体的费米能级下降。第2半导体是3-5族化合物半导体，第2杂质原子也可为选自铍、硼、碳、镁、及锌构成的组中的至少一种。
2023-06-14
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半导体基板的制造方法以及半导体基板.pdf
本发明的半导体基板的制造方法包括：氢层形成工序，在该氢层形成工序中，在由第1半导体材料的单晶形成的第1基板(2)上形成氢层(3)；接合工序，在该接合工序中，使第1基板与临时基板(4)接合；第1分离工序，在该第1分离工序中，以氢层为边界使第1基板分离，将第1基板的分离出的表面侧的部分作为第1薄膜层(22)而保留在临时基板上；支承层形成工序，在该支承层形成工序中，在保留有第1薄膜层的临时基板上形成由第2半导体材料形成的支承层(6)；第2分离工序，在该第2分离工序中，将临时基板去除；以及切除工序，在该切除工序中
2023-11-19
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