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本发明公开了一种micro?LED及其制备方法,应用于红光micro?LED,涉及二极管技术领域领域,该micro?LED包括衬底;在所述衬底上依次设有红光外延准备层、N型InbGa1?bN/GaN层、发光层、电子阻挡层、P型InfGa1?fN层及接触层;在所述发光层与电子阻挡层之间设有一波导层,所述波导层为IneGa1?eN薄膜层,其中,In的组分e为0.01?0.1。本发明能够解决现有技术中外延层中杂质扩散至发光层中,导致发光效率低下的技术问题。