一种Micro-LED芯片及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763673A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211338212.1H01L33/00(2010.01)(22)申请日2022.10.28(71)申请人深圳市思坦科技有限公司地址518000广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309(72)发明人吴涛(74)专利代理机构北京慧加伦知识产权代理有限公司16035专利代理师兰海叶(51)Int.Cl.H01L33/54(2010.01)H01L33/44(2010.01)H01L33/12(2010.01)H01L27/15(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称一种Micro-LED芯片及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法，属于LED显示技术领域。Micro‑LED芯片包括缓冲层和PN结层；在使用时，将PN结层层叠设置在缓冲层的上表面，并在PN结层上沿着PN结层的外边缘方向在距离外边缘预设距离处开设有环形沟槽结构；环形沟槽结构的开口向上，且环形沟槽将PN结层划分为LED阵列区域和外围区域。由此，通过在PN结层外围制备环形沟槽结构，从而有利于控制胶水的填充剂量，进而避免胶水残留；进而解决了相关技术中由于封装胶填充过量从而导致Micro‑LED芯片的IV特性不满足产品要求的技术问题。CN115763673ACN115763673A权利要求书1/2页1.一种Micro‑LED芯片，其特征在于，所述Micro‑LED芯片包括：缓冲层；PN结层：所述PN结层层叠设置在所述缓冲层的上表面，在所述PN结层上沿着所述PN结层的外边缘方向在距离所述外边缘预设距离处开设有环形沟槽结构；所述环形沟槽结构的开口向上且所述环形沟槽结构将所述PN结层划分为LED阵列区域和外围区域。2.根据权利要求1所述的Micro‑LED芯片，其特征在于，还包括：所述环形沟槽结构的内表面，以及所述外围区域均覆盖有钝化层；在所述外围区域对应的钝化层表面设置有阻挡层；所述阻挡层能够阻挡所述封装胶从所述环形沟槽结构中流出。3.根据权利要求2所述的Micro‑LED芯片，其特征在于，所述阻挡层为胶水层；所述胶水层能够连接驱动芯片至所述Micro‑LED芯片。4.根据权利要求1所述的Micro‑LED芯片，其特征在于，所述环形沟槽结构的底部延伸至缓冲层且嵌入所述环形沟槽结构的内部。5.根据权利要求1所述的Micro‑LED芯片，其特征在于，所述环形沟槽结构包括入口和出口；所述入口与所述出口位于所述PN结层的一侧；所述封装胶通过所述入口流入所述PN结层内部，并在对所述PN结构层充分渗透后通过所述出口流出。6.根据权利要求5所述的Micro‑LED芯片，其特征在于，所述入口和所述出口的方向均垂直于PN结层的上表面。7.根据权利要求1所述的Micro‑LED芯片，其特征在于，所述PN结层包括P‑电极层、N‑电极层，以及设置在所述P‑电极层和所述N‑电极层之间的发光层；所述LED阵列区域的N‑电极层设置所述缓冲层上表面；所述LED阵列区域所属的N‑电极层上表面被划分成用于形成P‑电极的第一区域和用于形成N‑电极的第二区域；所述第一区域是由N‑电极层形成的凸台结构；所述发光层和所述P‑电极层依次叠层设置在所述凸台结构的上表面。8.根据权利要求7所述的Micro‑LED芯片，其特征在于，还包括：所述第一区域的P‑电极层的上表面和所述第二区域的N‑电极层的上表面分别覆盖有金属电极层；所述金属电极层的上表面覆盖有钝化层；所述钝化层上开设有用于连通所述金属电极层的圆孔；所述圆孔内设置有用于连接驱动芯片的金属焊接层。9.根据权利要求8所述的Micro‑LED芯片，其特征在于，在所述P‑电极层和所述金属电极层之间设置有电流扩散层。10.一种如权利要求1至9任一所述的Micro‑LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：在光芯片衬底上表面依次叠层形成缓冲层和PN结层，得到Micro‑LED芯片的主结构层；所述PN结层至少包括依次叠层设置在所述缓冲层上的N‑电极层、发光层以及P‑电极层；沿着所PN结层的外边缘且在距离所述外边缘的预设距离处光刻形成开口向上的环形沟槽结构；所述环形沟槽结构将所述PN结层划分为LED阵列区域和外围区域；基于光刻技术对所述LED阵列区域的PN结层上表面进行光刻，得到用于形成P‑电极的2CN115763673A权利要求书2/2页第一区域和用于形成N‑电极的第二区域；在所述第一区域的P‑电极层上表面形成电流扩散层，之后在所述电流扩散层以及所述第二区域的N‑电极层的上表面分别形成金属电极层；分别在所述金属电极层的上表面、所述环形沟槽结构的内表面，以及所