光器件、光IC芯片、晶圆和光收发器模块.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110858015A(43)申请公布日2020.03.03(21)申请号201910705914.0(22)申请日2019.08.01(30)优先权数据2018-1565572018.08.23JP(71)申请人富士通光器件株式会社地址日本神奈川县(72)发明人杉山昌树(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人刘久亮黄纶伟(51)Int.Cl.G02B6/12(2006.01)G02B6/26(2006.01)权利要求书3页说明书7页附图11页(54)发明名称光器件、光IC芯片、晶圆和光收发器模块(57)摘要光器件、光IC芯片、晶圆和光收发器模块。光器件形成在光IC芯片上。光IC芯片的形状是矩形或平行四边形。该光器件包括：光器件电路；第一光波导，所述第一光波导联接到所述光器件电路；焊盘，所述焊盘电连接至所述光器件电路；光栅耦合器；以及第二光波导，所述第二光波导联接到所述光栅耦合器。所述焊盘被形成在所述光IC芯片的靠近第一边的区域中，所述光栅耦合器被形成在所述光IC芯片上的不靠近所述第一边的特定区域中。所述第一光波导和所述第二光波导分别延伸至所述光IC芯片的边缘。CN110858015ACN110858015A权利要求书1/3页1.一种光器件，该光器件形成在具有矩形形状或平行四边形形状的光集成电路IC芯片上，该光器件包括：光器件电路；第一光波导，所述第一光波导联接到所述光器件电路；焊盘，所述焊盘电连接至所述光器件电路；光栅耦合器；以及第二光波导，所述第二光波导联接到所述光栅耦合器，其中，所述焊盘被形成在所述光IC芯片的靠近第一边的区域中，所述光栅耦合器被形成在所述光IC芯片上的不靠近所述第一边的特定区域中，并且所述第一光波导和所述第二光波导分别延伸至所述光IC芯片的边缘。2.根据权利要求1所述的光器件，其中，所述光栅耦合器形成在所述光IC芯片的靠近与所述第一边不同的第二边的区域中。3.根据权利要求1所述的光器件，其中，所述光栅耦合器形成在所述光IC芯片上的指定区域中，并且所述指定区域不靠近所述光IC芯片的任何边。4.根据权利要求1所述的光器件，其中，所述光器件电路包括光调制器，并且所述焊盘包括被输入了对由所述光调制器生成的光信号的相位进行控制的信号的焊盘、被输入了对由所述光调制器生成的所述光信号的功率进行控制的信号的焊盘以及输出表示由所述光调制器生成的所述光信号的功率的信号的焊盘。5.根据权利要求1所述的光器件，其中，所述光器件电路包括光接收器和光调制器，并且所述第一光波导包括用于将输入光信号引导至所述光接收器的光波导、用于将输入的连续波光引导至所述光调制器的光波导以及用于传送由所述光调制器生成的光信号的光波导。6.一种光器件，该光器件形成在具有矩形形状或平行四边形形状的光IC芯片上，该光器件包括：光接收器；第一光波导，所述第一光波导联接到所述光接收器；光调制器；第二光波导，所述第二光波导联接到所述光调制器；第三光波导，所述第三光波导联接到所述光调制器；焊盘，所述焊盘电连接至所述光调制器；第一光栅耦合器；第二光栅耦合器；第三光栅耦合器；第四光波导，所述第四光波导联接到所述第一光栅耦合器；第五光波导，所述第五光波导联接到所述第二光栅耦合器；以及第六光波导，所述第六光波导联接到所述第三光栅耦合器，2CN110858015A权利要求书2/3页其中，所述焊盘形成在所述光IC芯片的靠近第一边的区域中，所述第一光栅耦合器至所述第三光栅耦合器形成在所述光IC芯片上的不靠近所述第一边的特定区域中，并且所述第一光波导至所述第六光波导分别延伸至所述光IC芯片的边缘。7.根据权利要求6所述的光器件，其中，所述第一光栅耦合器至所述第三光栅耦合器在直线上以等间隔布置。8.根据权利要求6所述的光器件，其中，所述第一光栅耦合器至所述第三光栅耦合器的衍射辐射方向彼此相同。9.一种光IC芯片，该光IC芯片具有包括第一区域、与所述第一区域相邻的第二区域以及与所述第一区域相邻的第三区域的矩形形状或平行四边形形状，该光IC芯片包括：光器件电路，所述光器件电路被形成在所述第一区域中；焊盘，所述焊盘被形成在所述第一区域中，但是被形成在与所述第二区域不相邻的位置处并且电连接至所述光器件电路；光栅耦合器，所述光栅耦合器被形成在所述第二区域中；以及光波导，所述光波导用于将所述光器件电路与所述光栅耦合器联接，其中，所述光波导的一部分被形成在所述第三区域中。10.一种晶圆，在该晶圆上形成有多个光IC芯片，所述多个光IC芯片中的每一个具有矩形形状或平行四边形形状，其中，所述多个光IC芯片中的每一个包括：光器件电路；焊盘，所述焊盘电连接至所述光器件电路；以及光栅耦合器，并且其中，在所述多