光器件和光收发器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115079445A(43)申请公布日2022.09.20(21)申请号202210124815.5(22)申请日2022.02.10(30)优先权数据2021-0397332021.03.11JP(71)申请人富士通光器件株式会社地址日本神奈川县(72)发明人杉山昌树(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127专利代理师杨雪玲刘久亮(51)Int.Cl.G02F1/01(2006.01)G02F1/00(2006.01)G02F1/03(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图10页(54)发明名称光器件和光收发器(57)摘要本申请涉及光器件和光收发器。一种光器件包括基板(W)、RF调制单元和相位调整单元(220)。RF调制单元设置在基板(W)上，并根据RF信号来调制光。相位调整单元(220)设置在基板(W)上，并且调整由RF调制单元调制的光信号的相位。相位调整单元(220)包括加热器(2200)和待加热光波导(2201)。待加热光波导(2201)设置在基板(W)的薄膜LN基板(32)和缓冲层(33)之间，由具有热光效应的材料形成。加热器(2200)在基板(W)上设置在与待加热光波导(2201)相对的位置处，缓冲层(33)位于加热器(2200)与待加热光波导(2201)之间，并且加热器(2200)对待加热光波导(2201)进行加热。CN115079445ACN115079445A权利要求书1/2页1.一种光器件，该光器件包括：基板，在该基板中依次形成有第一缓冲层、具有电光效应的薄膜以及第二缓冲层；RF调制单元，该RF调制单元设置在所述基板上并且根据RF信号来调制光；以及相位调整单元，该相位调整单元设置在所述基板上并且调整由所述RF调制单元调制的光信号的相位，其中，所述相位调整单元包括：第一光波导，该第一光波导设置在所述第二缓冲层和所述薄膜之间，由具有热光效应的材料形成，并且允许已经由所述RF调制单元调制或将要由所述RF调制单元调制的光通过所述第一光波导；以及加热器，该加热器设置在与所述第一光波导相对的位置处，所述第二缓冲层位于所述加热器和所述第一光波导之间，并且所述加热器对所述第一光波导进行加热。2.根据权利要求1所述的光器件，所述光器件还包括在所述薄膜上形成作为突起部的第二光波导，其中，所述RF调制单元对传播通过所述第二光波导的光信号进行调制，所述第一光波导设置为在所述第二光波导的延伸方向上连续，并且所述第一光波导的在所述第一光波导的延伸方向上的端面与所述第二光波导的在所述第二光波导的延伸方向上的端面接触。3.根据权利要求2所述的光器件，其中，所述第一光波导的热光效应大于所述第二光波导的热光效应。4.根据权利要求1所述的光器件，其中，所述第一光波导的折射率大于所述薄膜的折射率。5.根据权利要求2所述的光器件，其中，所述第二光波导的在所述第二光波导的延伸方向上的端部的宽度随着所述第二光波导的所述端部越靠近所述第二光波导的与所述第一光波导接触的端面而越窄，并且所述第二光波导的与所述第一光波导接触的端面的宽度比所述第一光波导的与所述第二光波导接触的端面的宽度窄。6.根据权利要求2或5所述的光器件，其中，所述第一光波导的厚度比所述第二光波导的厚度薄。7.根据权利要求1所述的光器件，所述光器件还包括在所述薄膜上形成作为突起部的第二光波导，其中，所述RF调制单元对传播通过所述第二光波导的光信号进行调制，并且所述第一光波导设置在所述第二光波导和所述加热器之间。8.根据权利要求7所述的光器件，其中，所述第一光波导的在所述第一光波导的延伸方向上的端部的宽度随着所述第一光波导的端部越靠近所述第一光波导的前端而越窄。9.根据权利要求7或8所述的光器件，其中，第二光波导的在设置有所述第一光波导的部分处的宽度比所述第二光波导的在未设置所述第一光波导的部分处的宽度宽。10.根据权利要求9所述的光器件，其中，2CN115079445A权利要求书2/2页所述第二光波导的在设置有所述第一光波导的部分处的宽度朝向与所述第一光波导的在所述第一光波导的延伸方向上的前端相关联的位置逐渐变窄。11.一种光收发器，该光收发器包括：根据权利要求1至10中任意一项所述的光器件，所述光器件用作发送根据RF信号调制的光信号的光发送装置；以及光接收装置，所述光接收装置接收所述光信号，并根据所接收的光信号输出电信号。3CN115079445A说明书1/8页光器件和光收发器技术领域[0001]本文讨论的实施方式涉及光器件和光收发器。背景技术[0002]例如，在下述专利文献1中，公开了使用铌酸锂(LiNbO3；LN)的马赫‑曾德耳(Mach‑Zehnder)光调制器。在这种类型的光调制器中，在缓冲层上设