光器件耦合方法、系统及发射光器件和光模块调测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113890602A(43)申请公布日2022.01.04(21)申请号202111055504.X(22)申请日2021.09.09(71)申请人武汉华工正源光子技术有限公司地址430223湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园正源光子产业园(72)发明人袁新烈迟景茂汤秉凡(74)专利代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司11228代理人代婵(51)Int.Cl.H04B10/073(2013.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称光器件耦合方法、系统及发射光器件和光模块调测方法(57)摘要本发明涉及一种光器件耦合方法、系统及发射光器件和光模块调测方法，本发明的光器件耦合方法通过测试EML激光器EA吸收曲线的工作特性，通过数据处理计算其二阶微分拐点对应的电压工作点作为最佳Vbias电压值，在此工作电压下，将光功率耦合至目标规格内。通过本方法耦合出来的器件，其工作特性非常接近模块实际工作点，在模块端无需重新配置或仅需微调基于此电压点的参数。本方法的优势在于可提前识别出性能风险COC，避免后端应用形成不良品。同时可极大提升模块端调测效率，缩减产品工时。CN113890602ACN113890602A权利要求书1/2页1.一种光器件耦合方法，其特征在于，包括如下步骤：测试得到激光器的Vbias电压与输出光功率曲线的关系即EA吸收特性曲线；根据各个激光器的EA吸收特性曲线计算出其对应的最佳Vbias电压工作点；组装发射光器件；将与发射光器件对应的偏置电流Ibias、温度、最佳Vbias电压值配置到该发射光器件中，进行光功率耦合，在其对应的最佳Vbias电压值下，将发射光器件的光功率耦合至目标规格内。2.如权利要求1所述的光器件耦合方法，其特征在于：根据各个激光器的EA吸收特性曲线计算出其对应的最佳Vbias电压工作点，具体包括：对各个激光器的EA吸收特性曲线进行二阶微分处理，然后取其拐点对应的Vbias电压值作为其最佳Vbisa电压工作点。3.如权利要求2所述的光器件耦合方法，其特征在于：当EA吸收特性曲线平滑时，仅需对EA吸收特性曲线进行二阶微分处理即可，然后取其拐点对应的Vbias电压值作为其最佳Vbisa电压工作点；当EA吸收特性曲线扫描点不够或激光器本身的EA吸收特性曲线存在不连续点时，除了对EA吸收特性曲线进行二阶微分处理外还需要增加一阶微分处理，一阶微分处理后的曲线有一个一阶微分拐点，当二阶微分处理后的曲线有多个二阶微分拐点时，取距离一阶微分拐点最近的一个二阶微分拐点对应的Vbias电压值作为最佳Vbias电压值。4.如权利要求1所述的光器件耦合方法，其特征在于：器件耦合时，当光功率小于规格值时，步进增加Ibias后重新耦合，将光功率耦合至目标规格，若在设定的步进次数内光功率能耦合至目标规格，则判定发射光器件为良品；若在设定的步进次数内光功率仍未耦合至目标规格，则判定发射光器件为不良品。5.如权利要求1所述的光器件耦合方法，其特征在于：器件耦合时，当光功率大于规格值时，通过耦合设备将发射光器件离焦耦合至目标规格内，判定发射光器件为良品。6.如权利要求1所述的光器件耦合方法，其特征在于：测试EA吸收特性曲线时，激光器处于一个恒定且固定的温度条件下；测试EA吸收特性曲线时，激光器处于一个固定的偏置电流Ibias条件下；器件耦合时温度和Ibias条件与测试EA吸收特性曲线时相同；测试得到激光器的Vbias电压与输出光功率曲线的关系即EA吸收特性曲线，具体包括：将激光器封装成COC组件，COC组件老化后测试其Vbias电压与输出光功率曲线的关系即EA吸收特性曲线。7.如权利要求1所述的光器件耦合方法，其特征在于：保存各个激光器对应的最佳Vbias电压值，并与发射光器件的器件序列号SN关联起来，器件耦合时，根据器件序列号SN调用对应的最佳Vbias电压值，并通过烧录工序配置到对应的发射光器件中。8.一种光器件耦合系统，其特征在于：包括测试模块、数据处理模块、存储模块、烧录模块、耦合模块、光功率测量模块、耦合判断模块；所述测试模块用于测试得到激光器的Vbias电压与输出光功率曲线的关系即EA吸收特性曲线；所述数据处理模块用于根据各个激光器的EA吸收特性曲线计算出其对应的最佳Vbias电压工作点；所述存储模块用于保存数据，包括偏置电流Ibias、温度、最佳Vbias电压值；所述烧录模块用于调用对应的偏置电流Ibias、温度、最佳Vbias电压值配置到发射光2CN113890602A权利要求书2/2页器件中；所述耦合模块用于对发射光器件进行光功率耦合；所述光功率测量模块用于测量发射光器件的光功率；所述耦合判断模块用于判断发射光器件的光功