显示面板及其制备方法、显示装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115884632A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202310080171.9(22)申请日2023.01.18(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人周婷婷孙雪菲王英涛贾倩柳在健(74)专利代理机构北京聿宏知识产权代理有限公司11372专利代理师郑哲琦吴昊(51)Int.Cl.H10K59/122(2023.01)H10K71/00(2023.01)权利要求书2页说明书7页附图12页(54)发明名称显示面板及其制备方法、显示装置(57)摘要本公开提供一种显示面板及其制备方法、显示装置显示面板包括：基底；位于所述基底一侧的多个像素电极；设置在所述基底一侧，且位于所述多个像素电极之间的像素定义层，所述像素定义层限定出像素开口区域；位于所述像素定义层远离所述基底一侧的导电结构层；其中，所述像素定义层包括凸起结构，所述凸起结构位于所述像素定义层远离所述基底的区段且横向凸出；所述凸起结构在所述基板上的正投影与所述像素电极在所述基板上的正投影之间存在交叠，在所述凸起结构与所述像素电极的交叠区域处，所述像素电极的表面形成凹槽，所述凹槽的开口方向与所述凸起结构的凸出方向基本一致。CN115884632ACN115884632A权利要求书1/2页1.一种显示面板，其特征在于，包括：基底；位于所述基底一侧的多个像素电极；设置在所述基底一侧，且位于所述多个像素电极之间的像素定义层，所述像素定义层限定出像素开口区域；位于所述像素定义层远离所述基底一侧的导电结构层；其中，所述像素定义层包括凸起结构，所述凸起结构位于所述像素定义层远离所述基底的区段且横向凸出；所述凸起结构在所述基板上的正投影与所述像素电极在所述基板上的正投影之间存在交叠，在所述凸起结构与所述像素电极的交叠区域处，所述像素电极的表面形成凹槽，所述凹槽的开口方向与所述凸起结构的凸出方向基本一致。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极包括沿远离所述基底的方向依次设置的多个导体层，所述多个导体层中最远离所述基底的导体层为顶层导体层，所述顶层导体层与所述导电结构层同层设置。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少一个所述像素电极的外围远离所述基底的一侧具有凸台，所述凸起结构在所述基板上的正投影覆盖并超出所述凸台在所述基板的正投影。4.根据权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，所述多个导体层中与所述顶层导体层相邻的导体层的外围区域形成凸台，所述顶层导体层与所述凸台侧面连接。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述凸起结构环绕所述像素定义层限定的像素开口区域，和/或所述凸台环绕所述像素电极。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置在所述导电结构层上的绝缘层，所述绝缘层在所述基板上的正投影与所述导电结构在所述基板上的正投影之间存在交叠区域。7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层包括第一像素定义层和设置在所述第一像素定义层远离所述基底一侧的第二像素定义层，所述导电结构层设置在所述第二像素定义层远离所述基底一侧的表面上，所述像素定义层还包括设置在所述导电结构层远离所述基底一侧的表面上的绝缘层；所述凸起结构中至少部分区域由所述第一像素定义层远离所述基底一侧的区段形成；所述第一像素定义层在所述基底所处平面的正投影超出所述第二像素定义层在所述基底所处平面的正投影，所述导电结构层在所述基底所处平面的正投影超出所述第二像素定义层以及所述绝缘层在所述基底所处平面的正投影。8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成多个像素电极；在所述基底上形成位于所述像素电极之间的像素定义层；在所述像素定义层远离所述基底一侧形成导电结构层；其中，所述像素定义层包括凸起结构，所述凸起结构位于所述像素定义层远离所述基底一侧的区段且横向凸出，所述凸起结构在所述基板上的正投影与所述像素电极在所述基2CN115884632A权利要求书2/2页板上的正投影之间存在交叠，在所述凸起结构与所述像素电极的交叠区域处，所述像素电极的表面形成凹槽，所述凹槽的开口方向与所述凸起结构的凸出方向基本一致。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在形成所述像素电极和所述像素定义层之前，在所述基底上形成钝化层；所述像素电极、所述像素定义层的形成步骤具体包括：在所述钝化层上形成多个层导体材料层；在所述所述多个导体材料层中刻蚀出网格状的沟槽，以在每个网格内得到层叠设置的多个导体层，并且所述沟槽的底部进入所述钝化层；向所述沟槽内填充绝缘材料，填充的绝缘材料的顶表面低于所述沟槽的开口；利用构图工艺形成像素定