显示面板及其制备方法、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112951850A(43)申请公布日2021.06.11(21)申请号202110216228.4(22)申请日2021.02.26(71)申请人福州京东方光电科技有限公司地址350300福建省福州市福清市石竹街道西环北路36号申请人京东方科技集团股份有限公司(72)发明人林滨席文星邹振游付婉霞李梁梁余雪(74)专利代理机构北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435代理人刘进(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称显示面板及其制备方法、显示装置(57)摘要本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，在衬底基板上形成低温多晶硅TFT的有源层，在低温多晶硅层上沉积第一栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层上形成低温多晶硅TFT的栅极和氧化物TFT的源极，形成第二栅极绝缘层，在第二栅极绝缘层上形成过孔，在第二栅极绝缘层上沉积低温多晶硅TFT源漏极层、氧化物TFT漏极层，在过孔内沉积氧化物TFT栅极层，在过孔内沉积氧化物TFT有源层，在第二栅极绝缘层上设置钝化层。根据本申请实施例提供的技术方案，通过将氧化物TFT制备成与低温多晶硅TFT垂直的结构，减少该显示面板制备过程中的步骤，节约了成本；并且垂直结构的氧化物TFT在保留其漏电流低的优势的同时，提高开关的打开能力。CN112951850ACN112951850A权利要求书1/2页1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成低温多晶硅TFT的有源层，在所述低温多晶硅层上沉积第一栅极绝缘层，采用同一次工艺在所述第一栅极绝缘层上形成低温多晶硅TFT的栅极和氧化物TFT的源极，在所述低温多晶硅TFT的栅极和所述氧化物TFT的源极上形成第二栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层上形成用于形成所述低温多晶硅TFT的源漏极的第一过孔，在所述第二栅极绝缘层上形成用于形成所述氧化物TFT的栅极的第二过孔，以及用于形成所述氧化物TFT的有源层的第三过孔；在所述第二栅极绝缘层上沉积金属层，所述金属层通过构图工艺形成所述低温多晶硅TFT的源漏极、所述氧化物TFT的漏极，以及所述氧化物TFT的栅极，所述氧化物TFT的栅极包括在所述第二过孔内沉积的金属层，在所述第三过孔内沉积所述氧化物TFT的有源层，所述氧化物TFT的有源层连接所述氧化物TFT的源极和所述氧化物TFT的漏极。2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一过孔为贯穿所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层并暴露所述低温多晶硅的有源层的两个过孔，其中一个过孔用于形成低温多晶硅TFT的源极，另一个过孔用于形成低温多晶硅TFT的漏极；所述第二过孔设置在所述氧化物TFT的源极左侧或者右侧，或者所述第二过孔为设置在所述氧化物TFT的源极左侧和右侧的两个过孔。3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述氧化物TFT的有源层包括顺次设置的第一结晶层、第二结晶层和第三结晶层，所述氧化物TFT的有源层靠近所述氧化物TFT的源极的为所述第三结晶层；所述第二结晶层为纳米结晶层。4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一结晶层厚度为400‑1000埃，所述第三结晶层厚度为1‑100埃。5.一种显示面板，其特征在于，包括叠层设置的衬底基板、第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述衬底基板上设置有位于不同区域的顶栅型低温多晶硅TFT和垂直结构的氧化物TFT，所述氧化物TFT的源极设置在所述第一栅极绝缘层上，所述氧化物TFT的源极和漏极设置在所述第二栅极绝缘层的两侧，所述氧化物TFT的栅极层和所述氧化物TFT的有源层设置在所述第二栅极绝缘层的不同的过孔内沿着所述第二栅极绝缘层的一侧到另一侧延伸，且所述氧化物TFT的有源层连接位于所述第二栅极绝缘层两侧的所述氧化物TFT的源极和所述氧化物TFT漏极。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述低温多晶硅TFT的有源层和栅极层设置在所述第一栅极绝缘层的两侧，且所述低温多晶硅TFT的栅极层设置在所述低温多晶硅TFT的有源层的上方；所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层上设置有贯穿所述第二栅极绝缘层和第一栅极绝缘层并暴露出所述有源层的两个第一过孔，所述第一过孔分别设置有源极和漏极，所述源极和漏极与所述有源层连接。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极绝缘层上设有暴露所述2CN112951850A权利要求书2/2页第一栅极绝缘层的第二过孔和暴露所述氧化物TFT源极的第三过孔，所述氧化物TFT的栅极设置在所述第二过孔内，所述氧