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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115942809A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211691002.0(22)申请日2022.12.27(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人张磊覃事建(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师唐秀萍(51)Int.Cl.H10K59/122(2023.01)H10K59/123(2023.01)H10K59/121(2023.01)H10K59/131(2023.01)权利要求书2页说明书12页附图7页(54)发明名称显示面板及其制备方法、显示装置(57)摘要本发明提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。所述显示面板包括发光器件层和阵列基板。所述阵列基板包括衬底层、绝缘模组、第一导电层和第二导电层。所述绝缘模组设于所述衬底层上。所述第一导电层和所述第二导电层错层设于所述绝缘模组中。所述第一导电层包括垫高层,所述垫高层与所述第二导电层在所述衬底层上的正投影不重合;或所述衬底层朝向所述导电结构的一表面上设有第一凹槽,所述第一凹槽与所述第二导电层在所述衬底层上的正投影重合。CN115942809ACN115942809A权利要求书1/2页1.一种显示面板,其特征在于,包括:发光器件层,其设有多个发光器件;阵列基板,所述发光器件层设于所述阵列基板上;所述阵列基板包括:衬底层;绝缘模组,设于所述衬底层上;第一导电层和第二导电层,错层设于所述绝缘模组中,且所述第一导电层位于所述第二导电层靠近所述衬底层的一侧;所述第一导电层包括垫高层,所述垫高层与所述第二导电层在所述衬底层上的正投影不重合;或所述衬底层朝向所述导电结构的一表面上设有第一凹槽,所述第一凹槽与所述第二导电层在所述衬底层上的正投影重合。2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底层包括:基层;遮光层,设于所述基层上;缓冲层,设于所述基层上,并覆盖所述遮光层;所述第一凹槽设于所述缓冲层远离所述遮光层的一表面上;所述阵列基板中的有源层设于所述第一凹槽中。3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹槽的深度小于或等于所述有源层的厚度。4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二导电层包括:第一电极层;第二电极层,位于所述第一电极层的一侧;走线层,位于所述第二电极层远离所述第一电极层的一侧;所述第一电极层、所述第二电极层与所述走线层设于所述绝缘模组中的同一平面上,且互相电性绝缘;所述垫高层在所述衬底层上的正投影位于所述走线层的两侧。5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘模组包括:栅极绝缘层,设于所述衬底层上,所述第一导电层设于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一表面上;相间介质层,设于所述衬底层上,并覆盖所述栅极绝缘层和所述第一导电层,所述第二导电层设于所述相间介质层远离所述第二导电层的一表面上;钝化层,设于所述相间介质层上,并覆盖所述第二导电层;平坦层,设于钝化层上;其中,所述相间介质层朝向所述第二导电层的一表面上设有第二凹槽,所述第二导电层位于所述第二凹槽中。6.如权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述栅极绝缘层包括:第一绝缘层,设于所述阵列基板的有源层远离所述衬底层的一表面上;第二绝缘层,设于所述衬底层上,并对应于所述第二导电层中的走线层;2CN115942809A权利要求书2/2页所述垫高层设于所述第二绝缘层远离所述衬底层的一表面上,或所述第二绝缘层设于一所述第一凹槽中;所述第一导电层还包括栅极层,所述栅极层设于所述第一绝缘层远离所述有源层的一表面上。7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:制备一衬底层;在所述衬底层上制备第一导电层、第二导电层以及绝缘模组,形成阵列基板;在所述阵列基板上制备多个发光器件,形成发光器件层;在制备所述衬底层后,还包括以下步骤:在所述衬底层上形成第一凹槽,所述第一凹槽与所述第二导电层在所述衬底层上的正投影重合;或在制备所述第一导电层时形成垫高层,所述垫高层与所述第二导电层在所述衬底层上的正投影不重合。8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在制备所述衬底层步骤中包括以下步骤:在一基层上形成遮光层;在所述基层上形成覆盖所述遮光层的缓冲层;在所述缓冲层远离所述遮光层的一表面上形成所述第一凹槽;在制备所述衬底层步骤后还包括以下步骤:在所述第一凹槽中形成有源层。9.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述衬底层上制备所述第一导电层、所述第二导电层以及所述绝缘模组步骤中包括以下步骤:在所述衬底层上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成所述第一导电层;在所述衬底层上