一种晶圆片表面金属杂质处理装置及方法.pdf
一只****ng
亲,该文档总共13页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
一种晶圆片表面金属杂质处理装置及方法.pdf
本发明公开了一种晶圆片表面金属杂质处理装置,包括除尘装置、清洗装置和风干装置,所述除尘装置和风干装置分别位于清洗装置的两侧,所述清洗装置包括超声波清洗槽,所述超声波清洗槽的底部设有升降平台,所述升降平台上设有翻转机构,本发明结构简单,设计新颖,功能多样,增设的除尘装置能够先将晶圆片的表面杂质吸除,然后再送至清洗装置中清洗,清洗结束后,增设的风干装置能够去除晶圆片表面的水渍。
去除晶圆表面杂质的方法.pdf
本发明涉及微电子技术领域,公开了一种去除晶圆表面杂质的方法,包括:采用碱溶液对晶圆进行清洗;采用乙醇溶液对所述晶圆进行清洗;将所述晶圆置于真空室中,对所述晶圆进行加热。采用本发明实施例,能够有效去除晶圆表面残留的氟离子杂质,从而提高了晶圆的良率。
一种半导体晶圆表面处理装置及处理方法.pdf
本发明提供了一种半导体晶圆表面处理装置及处理方法,包括底板、驱动装置、固定装置、支撑架、打磨装置和吸附装置;所述的底板上端面中部设置有驱动装置,位于驱动装置的上端均匀设置有固定装置,底板的上端面左侧位置设置有支撑架,支撑架的上端内壁分别设置有打磨装置和吸附装置;本发明可以解决目前的晶圆在加工中由于晶圆较小,晶圆表面加工的过程中容易凹凸不平,从而影响晶圆的加工质量;晶圆固定的过程中不稳定;影响晶圆表面打磨的平整性;晶圆进行打磨加工过程中产生的颗粒物飘飞,影响周围空气质量;以及晶圆打磨多为单个打磨,其打磨加工
晶圆处理方法及晶圆处理装置.pdf
本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤:建立映射关系,所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间,所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度,所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定;获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度;根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间;根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。本申请节省了扩散机台对晶
晶圆处理装置及晶圆处理方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。所述晶圆处理装置包括:支撑台,具有用于承载晶圆的承载面;喷嘴,位于所述支撑台上方,且仅具有气体喷口,所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动,所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体,以除去所述晶圆表面残留的液体。本发明一方面,减少了所述晶圆表面液体的残留;另一方面,减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题,提高了晶圆产品的良率。