去除晶圆表面杂质的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114284130A(43)申请公布日2022.04.05(21)申请号202011029784.2(22)申请日2020.09.27(71)申请人东莞新科技术研究开发有限公司地址523087广东省东莞市南城区宏远工业区(72)发明人张建(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人郝传鑫(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称去除晶圆表面杂质的方法(57)摘要本发明涉及微电子技术领域，公开了一种去除晶圆表面杂质的方法，包括：采用碱溶液对晶圆进行清洗；采用乙醇溶液对所述晶圆进行清洗；将所述晶圆置于真空室中，对所述晶圆进行加热。采用本发明实施例，能够有效去除晶圆表面残留的氟离子杂质，从而提高了晶圆的良率。CN114284130ACN114284130A权利要求书1/1页1.一种去除晶圆表面杂质的方法，其特征在于，包括：采用碱溶液对晶圆进行清洗；采用乙醇溶液对所述晶圆进行清洗；将所述晶圆置于真空室中，对所述晶圆进行加热。2.如权利要求1所述的去除晶圆表面杂质的方法，其特征在于，所述采用碱溶液对晶圆进行清洗，具体为：采用碱溶液对晶圆进行浸泡清洗；其中，浸泡的时间为5-10分钟。3.如权利要求2所述的去除晶圆表面杂质的方法，其特征在于，所述碱溶液为氢氧化钾溶液。4.如权利要求3所述的去除晶圆表面杂质的方法，其特征在于，所述氢氧化钾溶液的pH为9。5.如权利要求1所述的去除晶圆表面杂质的方法，其特征在于，所述乙醇溶液的温度为23-25℃。6.如权利要求1所述的去除晶圆表面杂质的方法，其特征在于，所述将所述晶圆置于真空室中，对所述晶圆进行加热，具体为：将所述晶圆置于真空室中，对所述晶圆进行加热，同时进行抽真空处理，使得所述真空室内的真空度在预设范围内来回波动。7.如权利要求6所述的去除晶圆表面杂质的方法，其特征在于，所述预设范围为400-500帕。8.如权利要求6所述的去除晶圆表面杂质的方法，其特征在于，所述方法还包括：采用活性炭对所述真空室排出的气体进行吸附处理。9.如权利要求1所述的去除晶圆表面杂质的方法，其特征在于，对所述晶圆进行加热的时间为15-25分钟，对所述晶圆进行加热的温度为250-300℃。2CN114284130A说明书1/4页去除晶圆表面杂质的方法技术领域[0001]本发明涉及微电子技术领域，特别是涉及一种去除晶圆表面杂质的方法。背景技术[0002]在半导体加工过程中，晶圆表面容易残留杂质。目前，晶圆表面上残留的杂质一般为氟离子，留存在晶圆表面的氟离子会对晶圆的品质造成影响，导致晶圆的良率降低，因此，需要一种方法来去除晶圆表面残留的氟离子杂质。发明内容[0003]本发明实施例的目的是提供一种去除晶圆表面杂质的方法，能够有效去除晶圆表面残留的氟离子杂质，从而提高了晶圆的良率。[0004]为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种去除晶圆表面杂质的方法，包括：[0005]采用碱溶液对晶圆进行清洗；[0006]采用乙醇溶液对所述晶圆进行清洗；[0007]将所述晶圆置于真空室中，对所述晶圆进行加热。[0008]作为上述方案的改进，所述采用碱溶液对晶圆进行清洗，具体为：[0009]采用碱溶液对晶圆进行浸泡清洗；其中，浸泡的时间为5-10分钟。[0010]作为上述方案的改进，所述碱溶液为氢氧化钾溶液。[0011]作为上述方案的改进，所述氢氧化钾溶液的pH为9。[0012]作为上述方案的改进，所述乙醇溶液的温度为23-25℃。[0013]作为上述方案的改进，所述将所述晶圆置于真空室中，对所述晶圆进行加热，具体为：[0014]将所述晶圆置于真空室中，对所述晶圆进行加热，同时进行抽真空处理，使得所述真空室内的真空度在预设范围内来回波动。[0015]作为上述方案的改进，所述预设范围为400-500帕。[0016]作为上述方案的改进，所述方法还包括：[0017]采用活性炭对所述真空室排出的气体进行吸附处理。[0018]作为上述方案的改进，对所述晶圆进行加热的时间为15-25分钟，对所述晶圆进行加热的温度为250-300℃。[0019]实施本发明实施例，具有如下有益效果：[0020]本发明实施例提供一种去除晶圆表面杂质的方法，先采用碱溶液对晶圆进行清洗，使得晶圆表面的氟离子形成盐，发生沉淀，从而初步去除晶圆表面的氟离子；再采用乙醇溶液对所述晶圆进行清洗，使得晶圆表面的氟离子与乙醇发生反应，从而进一步去除晶圆表面的氟离子；然后将所述晶圆置于真空室中，对所述晶圆进行加热，使得晶圆表面的氟离子挥发，从而更进一步地去除晶圆表面的氟离子。基于上述分析可知，采用本发明实施例提供的去除晶圆表面杂质