一种晶圆传送装置、去除杂质的设备及去除杂质的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110246791A(43)申请公布日2019.09.17(21)申请号201910420062.0(22)申请日2019.05.20(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人孙亭亭(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人俞涤炯(51)Int.Cl.H01L21/673(2006.01)H01L21/67(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种晶圆传送装置、去除杂质的设备及去除杂质的方法(57)摘要本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆传送装置、去除杂质的设备及去除杂质的方法，用于清理晶圆表面的颗粒物，去除杂质的设备包括一晶圆传送装置、一气流供给装置；晶圆传送装置包括：第一支撑板和第二支撑板通过多根支撑杆连接；每根支撑杆的内部为中空结构，每根支撑杆的一端设有一进气口，进气口用于导入一气流；每根支撑杆包括：多个排气孔，均匀地分布于支撑杆面向晶圆传送装置的内部的一面。本发明技术方案的有益效果在于：通过改进晶圆传送装置的结构，在传送晶圆的过程中，去除晶圆表面的颗粒物，从而提高了晶圆的良率。CN110246791ACN110246791A权利要求书1/1页1.一种晶圆传送装置，其特征在于，包括：第一支撑板和第二支撑板通过多根支撑杆连接；每根所述支撑杆的内部为中空结构，每根所述支撑杆的一端设有一进气口，所述进气口用于导入一气流；每根所述支撑杆包括：多个排气孔，均匀地分布于所述支撑杆面向所述晶圆传送装置的内部的一面。2.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，每根所述支撑杆还包括多个用以承载晶圆的插槽，每个插槽对应设置于一所述排气孔的正下方。3.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述支撑杆的内径为所述支撑杆的直径的1/10。4.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述排气孔为正方形，且所述正方形的边长与所述支撑杆的内径相等。5.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述气流为氮气流。6.一种去除杂质的设备，用于清理晶圆表面的颗粒物，其特征在于，包括权利要求1至5中任一所述的晶圆传送装置，还包括：一气流供给装置，分别连接每个所述进气口，用于供给所述气流以带走所述晶圆表面的所述颗粒物。7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：一腔体，所述腔体包括一排气口，所述晶圆传送装置设置于所述腔体中；一抽气泵，设置于所述腔体的排气口，用于将所述气流抽出所述腔体外；一收集装置，与所述抽气泵连接，用于收集所述抽气泵抽出的所述气流中携带的所述颗粒物。8.一种去除杂质的方法，应用于如权利要求6或7所述的设备，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，在一第一预设时间内，向第一支撑杆的进气口导入一第一风速的气流，同时，向第二支撑杆的进气口及第三支撑杆的进气口导入一第二风速的所述气流；步骤S2，在一第二预设时间内，向第二支撑杆的进气口导入一第一风速的气流，同时，向第一支撑杆的进气口及第三支撑杆的进气口导入一第二风速的所述气流；步骤S3，在一第三预设时间内，向第三支撑杆的进气口导入一第一风速的气流，同时，向第一支撑杆的进气口及第二支撑杆的进气口导入一第二风速的所述气流。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间、所述第二预设时间以及所述第三预设时间相等。10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一风速大于所述第二风速。2CN110246791A说明书1/4页一种晶圆传送装置、去除杂质的设备及去除杂质的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆传送装置、去除杂质的设备及去除杂质的方法。背景技术[0002]在半导体制造技术中，晶圆上的颗粒物即Particle(以下简称PA)是考量晶圆品质的一个重要因素，颗粒物会直接影响晶圆的性能，因而控制PA是非常关键的。[0003]在炉管制造技术中，常需要一种晶圆传送装置用于晶圆的传送及加工，这种承载晶圆的工具称之为boat(晶舟)。由于制程过程中，晶舟直接与晶圆接触，如果晶舟本身带有PA，在与晶圆接触摩擦的过程中会直接影响晶圆的PA状况。但是，如果我们能充分利用晶舟的结构特性，不仅能改善因为晶舟自身状况带来的PA，也能同时解决因为其它一些原因造成的PA，例如传送器械掉落的PA、进气管喷出的PA、炉管内壁剥落的氧化层等。因此，现需一种新型结构的晶舟，能够有效地去除晶圆表面的颗粒物，进一步地提升晶圆的良率。发明内容[0004]针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种晶圆传送装置、去除杂质的设备及去除杂质的方法。[0