一种半导体晶圆表面处理装置及处理方法.pdf
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一种半导体晶圆表面处理装置及处理方法.pdf
本发明提供了一种半导体晶圆表面处理装置及处理方法,包括底板、驱动装置、固定装置、支撑架、打磨装置和吸附装置;所述的底板上端面中部设置有驱动装置,位于驱动装置的上端均匀设置有固定装置,底板的上端面左侧位置设置有支撑架,支撑架的上端内壁分别设置有打磨装置和吸附装置;本发明可以解决目前的晶圆在加工中由于晶圆较小,晶圆表面加工的过程中容易凹凸不平,从而影响晶圆的加工质量;晶圆固定的过程中不稳定;影响晶圆表面打磨的平整性;晶圆进行打磨加工过程中产生的颗粒物飘飞,影响周围空气质量;以及晶圆打磨多为单个打磨,其打磨加工
晶圆处理方法及晶圆处理装置.pdf
本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤:建立映射关系,所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间,所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度,所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定;获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度;根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间;根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。本申请节省了扩散机台对晶
晶圆处理装置及晶圆处理方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。所述晶圆处理装置包括:支撑台,具有用于承载晶圆的承载面;喷嘴,位于所述支撑台上方,且仅具有气体喷口,所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动,所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体,以除去所述晶圆表面残留的液体。本发明一方面,减少了所述晶圆表面液体的残留;另一方面,减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题,提高了晶圆产品的良率。
一种半导体晶圆的处理方法.pdf
本发明公开了一种半导体晶圆的处理方法,包括步骤:S101.在半导体晶圆的正面贴附UV膜;S102.对S101处理后的半导体晶圆的边缘进行修膜检验;S103.对S102处理后的半导体晶圆进行背面减薄;S104.对背面减薄后的半导体晶圆采用腐蚀液进行背面腐蚀;S105.用UV灯照射S104处理后的半导体晶圆,除去半导体晶圆正面贴附的UV膜;S106.对S105处理后的半导体晶圆背面蒸发金属化后检验。其有效克服了减薄后应力及损伤层的修复去除甚微或不彻底的问题,保证背面金属层与半导体晶圆之间的结合力,杜绝金属层掉
半导体晶圆的热处理方法.pdf
本发明是一种半导体晶圆的热处理方法,其在单片式的热处理炉内配设有能够载置半导体晶圆的基座,并对载置于该基座的半导体晶圆进行热处理,其特征在于,在所述热处理前,在所述热处理炉内,进行以比所述热处理的温度低的规定温度保持规定时间的预备加热,在该预备加热中,使所述半导体晶圆从所述基座分离并进行保持。由此,提供一种半导体晶圆的热处理方法,该方法即使在高温热处理时也不会大幅降低生产性,并能够抑制半导体晶圆的滑移。