一种MOS芯片的封装结构以及封装方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116013966A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202111233283.0(22)申请日2021.10.22(71)申请人上海艾为电子技术股份有限公司地址201199上海市闵行区秀文路908弄2号1201室(72)发明人徐元俊曹烨(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227专利代理师耿苑(51)Int.Cl.H01L29/417(2006.01)H01L27/088(2006.01)H01L21/8234(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图4页(54)发明名称一种MOS芯片的封装结构以及封装方法(57)摘要本发明公开了一种MOS芯片的封装结构以及封装方法，所述封装结构包括：封装基板，具有互连电路；与所述封装基板固定连接的MOS模块，所述MOS模块与所述互连电路连接；所述MOS模块具有固定连接的第一MOS单元和第二MOS单元；所述第一MOS单元朝向所述第二MOS单元的表面具有第一漏极，背离所述第二MOS单元的表面具有第一栅极和第一源极；所述第二MOS单元朝向所述第一MOS单元的表面具有第二漏极，背离所述第一MOS单元的表面具有第二栅极和第二源极；所述第二漏极与所述第一漏极相对固定连接。所述封装结构提升了可靠性。CN116013966ACN116013966A权利要求书1/2页1.一种MOS芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基板，具有互连电路；与所述封装基板固定连接的MOS模块，所述MOS模块与所述互连电路连接；所述MOS模块具有固定连接的第一MOS单元和第二MOS单元；所述第一MOS单元朝向所述第二MOS单元的表面具有第一漏极，背离所述第二MOS单元的表面具有第一栅极和第一源极；所述第二MOS单元朝向所述第一MOS单元的表面具有第二漏极，背离所述第一MOS单元的表面具有第二栅极和第二源极；所述第二漏极与所述第一漏极相对固定连接。2.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述第一MOS单元包括：第一半导体衬底；位于所述第一半导体衬底一个表面的第一外延层；位于所述第一半导体衬底背离所述第一外延层一侧表面的所述第一漏极；位于所述第一外延层背离所述第一半导体衬底一侧表面内的所述第一栅极和所述第一源极；所述第二MOS单元包括：第二半导体衬底；位于所述第二半导体衬底一个表面的第二外延层；位于所述第二半导体衬底背离所述第二外延层一侧表面的所述第二漏极；位于所述第二外延层背离所述第二半导体衬底一侧表面内的所述第二栅极和所述第二源极。3.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有所述互连电路；所述第一源极与所述第一栅极均与所述第一表面相对固定，且分别与所述互连电路连接。4.根据权利要求3所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述第二源极和所述第二栅极通过导电部件与所述互连电路连接。5.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，还包括：塑封层，所述塑封层包围所述MOS模块，且覆盖所述封装基板的至少部分。6.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板具有与所述互连电路连接的外接引脚，用于和外部电路连接。7.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板为PCB板或是金属框架。8.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板包括：相对的第一表面和第二表面以及贯穿所述第一表面和所述第二表面的容纳孔；所述MOS模块的至少部分位于所述容纳孔内，所述第一漏极与所述第二漏极相对的表面平行于所述第一表面和所述第二表面。9.根据权利要求8所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述互连电路包括：位于所述第一表面的第一子互连电路和位于所述第二表面的第二子互连电路；所述第一源极和所述第一栅极通过第一导电部件与所述第一子互连电路连接；所述第二源极和所述第二栅极通过第二导电部件与所述第二子互连电路连接。10.一种封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供一封装基板，具有互连电路；在所述封装基板上固定连接MOS模块；其中，所述MOS模块与所述互连电路连接；所述MOS模块具有固定连接的第一MOS单元和2CN116013966A权利要求书2/2页第二MOS单元；所述第一MOS单元朝向所述第二MOS单元的表面具有第一漏极，背离所述第二MOS单元的表面具有第一栅极和第一源极；所述第二MOS单元朝向所述第一MOS单元的表面具有第二漏极，背离所述第一MOS单元的表面具有第二栅极和第二源极；所述第二漏极与所述第一漏极相对固定连接。11.根据权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述封装基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第