包含阶梯结构的微电子装置，及相关存储器装置、电子系统及方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115942748A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211090658.7H10B41/20(2023.01)(22)申请日2022.09.01H10B41/10(2023.01)H10B43/10(2023.01)(30)优先权数据H10B43/20(2023.01)17/446,8682021.09.03USH10B43/35(2023.01)(71)申请人美光科技公司H10B43/40(2023.01)地址美国爱达荷州H10B43/50(2023.01)(72)发明人D·H·威尔士R·J·希尔U·M·梅奥托M·托鲁姆(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287专利代理师强薇(51)Int.Cl.H10B41/35(2023.01)H10B41/41(2023.01)H10B41/50(2023.01)权利要求书3页说明书31页附图47页(54)发明名称包含阶梯结构的微电子装置，及相关存储器装置、电子系统及方法(57)摘要本申请案涉及包含阶梯结构的微电子装置，及相关存储器装置、电子系统及方法。所述微电子装置包括上覆于源极层阶的堆叠结构。所述堆叠结构包括布置成层阶的导电结构及绝缘结构的竖直交替序列。所述微电子装置包括：阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层阶的横向边缘的台阶；支撑结构，其竖直延伸穿过所述堆叠结构且在所述阶梯结构的水平区域内；及导电接触件，其竖直延伸穿过所述堆叠结构且水平相邻于所述阶梯结构的所述水平区域内的所述支撑结构。所述导电接触件中的每一者具有在所述阶梯结构的所述台阶中的一者处与所述堆叠结构的所述导电结构中的一者接触的水平突出部分。CN115942748ACN115942748A权利要求书1/3页1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其上覆于源极层阶，所述堆叠结构包括布置成层阶的导电结构及绝缘结构的竖直交替序列；阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层阶的横向边缘的台阶；支撑结构，其竖直延伸穿过所述堆叠结构且在所述阶梯结构的水平区域内；及导电接触件，其竖直延伸穿过所述堆叠结构且水平相邻于所述阶梯结构的所述水平区域内的所述支撑结构，所述导电接触件中的每一者具有在所述阶梯结构的所述台阶中的一者处与所述堆叠结构的所述导电结构中的一者接触的水平突出部分。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：所述导电接触件与所述堆叠结构的所述导电结构中的至少一些电连通；且所述支撑结构不与所述堆叠结构的所述导电结构电连通。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述导电接触件从所述堆叠结构的上表面竖直延伸穿过所述堆叠结构到所述源极层阶内的导电结构。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电接触件中的每一者展现基本上相同的竖直高度。5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电接触件的竖直高度基本上等于所述支撑结构的竖直高度。6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述阶梯结构的所述台阶没有终止于其上的额外接触结构。7.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电接触件中的至少一者的所述水平突出部分从所述导电接触件中的至少一个其它者的所述水平突出部分竖直偏移。8.根据权利要求7所述的微电子装置，其进一步包括水平插入在所述导电接触件与所述堆叠结构的所述导电结构之间的电介质材料，所述电介质材料的水平宽度沿着所述导电接触件中的每一者的竖直高度变动。9.一种存储器装置，其包括：堆叠结构，其包括与绝缘结构竖直交错的导电结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构；阶梯结构，其在所述堆叠结构内，由包括所述导电结构及所述绝缘结构的横向端的台阶界定；及导电接触件，其竖直延伸穿过所述堆叠结构，所述导电接触件中的每一者个别地包括：第一部分，其从所述堆叠结构的最上边界竖直延伸到下伏于所述堆叠结构的最下边界的导电材料；及第二部分，其横向环绕所述第一部分且在所述阶梯结构的所述台阶中的一者的高度水平处与所述堆叠结构的所述导电结构中的一者物理接触。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述台阶中的每一者是由所述堆叠结构的所述导电结构中的两者及所述绝缘结构中的两者界定。11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中仅所述导电接触件中的每一者的所述第二部分的下表面与所述堆叠结构的所述导电结构中的任一者物理接触。2CN115942748A权利要求书2/3页12.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的存储器装置，其进一步包括竖直上覆于所述阶梯结构的至少一种绝缘衬垫材料，所述导电接触件中的每一者的所述第二部分横向介入于所述导电接触件中的每一者的所述第一部分与所述至少一种绝缘