晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114975210A(43)申请公布日2022.08.30(21)申请号202210888360.4C23C16/458(2006.01)(22)申请日2022.07.27C23C16/46(2006.01)(71)申请人江苏邑文微电子科技有限公司地址226400江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号申请人无锡邑文电子科技有限公司(72)发明人戴建波孙文彬刘龙龙(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师张洋(51)Int.Cl.H01L21/677(2006.01)H01L21/687(2006.01)H01L21/205(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备(57)摘要本发明的实施例提供了一种晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备，涉及半导体技术领域。晶圆加热转移装置包括加热盘、转移手指和驱动机构，加热盘中部开设有通孔，在通孔的周围还开设有多个凹槽，加热盘用于承载晶圆、并对晶圆加热；转移手指安装在凹槽内，转移手指用于转移晶圆；驱动机构安装在通孔内，驱动机构与转移手指连接，驱动机构用于带动转移手指相对于加热盘升降、旋转。其中，凹槽的形状与转移手指的形状相适配，转移手指包括主干和多个分支，多个分支连接在主干的同一侧，相邻两个转移手指的分支用于支撑起同一个晶圆。晶圆加热转移装置能够提高晶圆受热的均匀性，使晶圆上产生的沉积膜的厚度均匀。CN114975210ACN114975210A权利要求书1/1页1.一种晶圆加热转移装置，其特征在于，所述晶圆加热转移装置包括：加热盘（1），中部开设有通孔（11），在所述通孔（11）的周围还开设有多个凹槽（12），所述加热盘（1）用于承载晶圆（200）、并对所述晶圆（200）加热；转移手指（2），安装在所述凹槽（12）内，所述转移手指（2）用于转移所述晶圆（200）；驱动机构（3），安装在所述通孔（11）内，所述驱动机构（3）与所述转移手指（2）连接，所述驱动机构（3）用于带动所述转移手指（2）相对于所述加热盘（1）升降、旋转；其中，所述凹槽（12）的形状与所述转移手指（2）的形状相适配，所述转移手指（2）包括主干（21）和多个分支（22），多个所述分支（22）连接在所述主干（21）的同一侧，相邻两个所述转移手指（2）的所述分支（22）用于支撑起同一个所述晶圆（200）。2.根据权利要求1所述的晶圆加热转移装置，其特征在于，支撑起同一个所述晶圆（200）的两个所述转移手指（2）关于二者的中心线呈对称设置，支撑起同一个所述晶圆（200）的两个所述转移手指（2）的所述分支（22）相向设置。3.根据权利要求1所述的晶圆加热转移装置，其特征在于，所述晶圆（200）在所述加热盘（1）上的正投影位于支撑起同一个所述晶圆（200）的两个所述转移手指（2）的所述主干（21）之间。4.根据权利要求1所述的晶圆加热转移装置，其特征在于，支撑起同一个所述晶圆（200）的两个所述转移手指（2）的所述主干（21）之间的距离从连接所述驱动机构（3）的一端到另一端逐渐远离增大。5.根据权利要求4所述的晶圆加热转移装置，其特征在于，支撑起同一个所述晶圆（200）的两个所述转移手指（2）的所述主干（21）之间的夹角a为：50°~70°。6.根据权利要求1所述的晶圆加热转移装置，其特征在于，所述转移手指（2）包括两个所述分支（22），两个所述分支（22）间隔设置在所述主干（21）上。7.根据权利要求1所述的晶圆加热转移装置，其特征在于，所述转移手指（2）上的两个所述分支（22）用于分别支撑在所述晶圆（200）的上半部分和下半部分。8.根据权利要求1所述的晶圆加热转移装置，其特征在于，所述分支（22）包括依次连接的连接段（221）、过渡段（222）和支撑段（224），所述连接段（221）连接在所述主干（21）上，所述支撑段（224）的上表面用于承载所述晶圆（200）。9.根据权利要求8所述的晶圆加热转移装置，其特征在于，所述过渡段（222）的上表面为斜面（223），所述斜面（223）的高度从连接所述连接段（221）的一端到连接所述支撑段（224）的一端逐渐降低，所述支撑段（224）的上表面为水平面（225）。10.一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备包括权利要求1~9任一项所述晶圆加热转移装置。2CN114975210A说明书1/5页晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备。背景技术[0002]等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是