预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/8
2/8
3/8
4/8
5/8
6/8
7/8
8/8

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114141684A(43)申请公布日2022.03.04(21)申请号202111427199.2(22)申请日2021.11.28(71)申请人盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司地址315100浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村(72)发明人王会会刘洋金補哲(74)专利代理机构上海老虎专利代理事务所(普通合伙)31434代理人葛瑛(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L21/687(2006.01)C23C16/458(2006.01)C23C16/52(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称晶圆旋转装置及化学气相沉积设备(57)摘要本发明公开了一种晶圆旋转装置及化学气相沉积设备,所述包括静电吸盘、反应腔体、晶圆支撑架,所述静电吸盘通过三个提升销与晶圆支撑架连接,静电吸盘依据静电原理吸引晶圆片;所述反应腔体左侧接入反应气体管道并配有压力计,底部连接尾气管路,配有压力计,并通过节流阀连接于涡轮泵上;所述反应腔体顶部连接远程等离子体源,中间为清洁气体管路,清洁气体管路穿过陶瓷钟罩,且尾部接有喷头;所述晶圆支撑架底部与反应腔体密封连接。本发明在于不仅可以对晶圆进行升降动作,还可以通过驱动马达来对晶圆进行旋转作业,通过旋转晶圆来达到改善工艺均匀性的目的,进而提高了产品良率。CN114141684ACN114141684A权利要求书1/1页1.一种晶圆旋转装置及化学气相沉积设备,其特征在于:所述包括静电吸盘(1)、反应腔体(2)、晶圆支撑架(3),所述静电吸盘(1)通过三个提升销(4)与晶圆支撑架(3)连接,所述静电吸盘(1)吸引晶圆片(5)附着于上面;所述反应腔体(2)左侧接入有反应气体管道(6)并配有压力计(7)且底部连接有尾气管路(8)并配有压力计(9),所述反应腔体(2)上还连接有节流阀(10)并通过节流阀(10)连接于涡轮泵(11)上;所述反应腔体(2)顶部连接远程等离子体源(12)且中间为清洁气体管路(13),清洁气体管路(13)穿过陶瓷钟罩(14)且尾部接有喷头(15);所述晶圆旋转装置(16)顶部与反应腔体(2)密封连接,且所述晶圆支撑架(3)底部嵌入晶圆旋转装置(16)中,所述晶圆支撑架(3)的三个手臂分别嵌入一个提升销(4);所述晶圆旋转装置(16)由波纹管腔体(17)、马达(18)和气缸(19)组成;所述波纹管腔体(17)的顶部固定有锁紧装置(20),所述波纹管腔体(17)的两侧分别设有密封管路(27)和高纯氮气管路(26);所述马达(18)和气缸(19)均通过螺丝固定于波纹管腔体(17)上;所述波纹管腔体(17)内部设有轴杆(21);所述波纹管腔体(17)的底部设有第二传动轮(22),所述第二传动轮(22)与轴杆(21)焊接固定;所述马达(18)的传动端上连接有第一传动轮(23),所述第一传动轮(23)和第二传动轮(22)之间通过带体连接,所述气缸(19)上设有传感器(24)和气体传输口(25)。2.根据权利要求1所述的一种晶圆旋转装置及化学气相沉积设备,其特征在于:所述波纹管腔体(17)为金属真空波纹管,能承受较多循环次数的变动载荷和较大位移的条件下工作,在最大位移情况下寿命可达到30000次。3.根据权利要求1所述的一种晶圆旋转装置及化学气相沉积设备,其特征在于:所述节流阀(10)是一种可通过调节其阀门开度大小进而控制反应腔体(2)压力的阀门。4.根据权利要求1所述的一种晶圆旋转装置及化学气相沉积设备,其特征在于:所述远程等离子体源(12)的射频发生器最大频率13.56MHz、最大功率300W且可调节。5.根据权利要求1所述的一种晶圆旋转装置及化学气相沉积设备,其特征在于:所述晶圆支撑架(3)为三个手臂的陶瓷组件,可通过其三个手臂将同为陶瓷材质的提升销(4)升起并托住晶圆片(5)提升至待工艺位置。2CN114141684A说明书1/4页晶圆旋转装置及化学气相沉积设备技术领域[0001]本发明涉及化学气相沉积设备技术领域,具体为一种晶圆旋转装置及化学气相沉积设备。背景技术[0002]化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法,是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说,它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上。[0003]在当化学气相沉积工艺厚度、电阻出现问题时,一般地,会在工艺气体流量,工艺温度,工艺时间等方面进行探讨,此外,一旦工艺参数均匀性出现异常,就没有有效的方法来控制其的偏差,本发明