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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111719140A(43)申请公布日2020.09.29(21)申请号202010203360.7(22)申请日2020.03.20(30)优先权数据1081095652019.03.20TW(71)申请人汉民科技股份有限公司地址中国台湾台北市大安区敦化南路2段38号14楼(72)发明人黄灿华梁佑笙(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人郭蔚(51)Int.Cl.C23C16/458(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图5页(54)发明名称用于气相沉积设备的晶圆承载装置(57)摘要一种用于气相沉积设备的晶圆承载装置,包括转轴及旋转盘。转轴用以提供公转,旋转盘连接该转轴,周边辐射状环设多个开口。开口的任一周缘环设一段差部,其周缘环设凹槽,凹槽内分布滚珠,滚珠直径不大于凹槽的宽度,但大于凹槽的深度。环绕凹槽周缘的侧壁上设有传动机构。支撑架固设于段差部上,支撑架顶面中心具有第一结构。晶圆托盘顶面用以承载晶圆,底面中心具有第二结构,用以嵌合支撑架的第一结构,晶圆托盘周檐置放于凹槽上的滚珠上,通过传动机构驱动晶圆托盘旋转。CN111719140ACN111719140A权利要求书1/2页1.一种用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,包括:一转轴,用以提供一公转;以及一旋转盘,连接该转轴,周边辐射状环设多个开口,其中该多个开口的任一周缘环设一段差部,该段差部周缘环设一凹槽,该凹槽内分布多个滚珠,该多个滚珠的直径不大于该凹槽的宽度,但该多个滚珠的直径大于该凹槽的深度,环绕该凹槽周缘的侧壁上,设有一传动机构;一支撑架,固设于该段差部上,该支撑架的顶面中心具有一第一结构;以及一晶圆托盘,该晶圆托盘的顶面用以承载一晶圆,该晶圆托盘的底面中心具有一第二结构用以嵌合于该支撑架的该第一结构,该晶圆托盘周檐置放于该凹槽上的该多个滚珠上,并通过该传动机构驱动该晶圆托盘旋转。2.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构是一凹锥结构,该第二结构是一凸锥结构,且该凹锥结构对应该凸锥结构。3.如权利要求2所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构是圆锥状凹锥结构,具有一第一顶点及一第一圆型底面,该第二结构是凸锥结构,具有一第二顶点及一第二圆形底面,该第一顶点接触该第二顶点,且该第一圆形底面的面积大于该第二圆形底面的面积。4.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构是一凸锥结构,该第二结构是一凹锥结构,且该凹锥结构对应该凸锥结构。5.如权利要求4所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构是圆锥状凸锥结构,具有一第一顶点及一第一圆型底面,该第二结构是圆锥状凹锥结构,具有一第二顶点及一第二圆形底面,该第一顶点接触该第二顶点,且该第一圆形底面的面积小于该第二圆形底面的面积。6.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构是以锁固的方式,设置于该支撑架上。7.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第二结构是以锁固的方式设置于该晶圆托盘上。8.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构的顶端与该第二结构的顶端点接触。9.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构与该第二结构线接触。10.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构与该第二结构的旋转轴对应至该支撑架的顶面中心及该晶圆托盘的底面中心。11.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构的中心剖面的顶端至底端具有一第一斜率,该第二结构的中心剖面的顶端至底端具有一第二斜率,该第一斜率小于该第二斜率。12.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构的中心剖面的顶端至底端具有一第一斜率,该第二结构的中心剖面的顶端至底端具有一第二斜率,该第一斜率大于该第二斜率。13.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第一结构2CN111719140A权利要求书2/2页与该支撑架一体成型。14.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该第二结构与该晶圆托盘一体成型。15.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该支撑架与该旋转盘一体成型。16.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该支撑架具有一体成型的一外圆环及一内分隔,且该第一结构设置于该内分隔的中心。17.如权利要求1所述的用于气相沉积设备的晶圆承载装置,其特征在于,该支撑架的该内分