改善声表滤波器件温漂的电路结构、封装结构和封装方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115913169A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211704873.1(22)申请日2022.12.29(71)申请人苏州声芯电子科技有限公司地址215600江苏省苏州市张家港高新技术产业开发区华夏科技园3号厂房北侧底层(72)发明人纪宣李晓辉(74)专利代理机构苏州金项专利代理事务所(普通合伙)32456专利代理师金星(51)Int.Cl.H03H9/64(2006.01)H03H9/02(2006.01)H03H9/10(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图8页(54)发明名称改善声表滤波器件温漂的电路结构、封装结构和封装方法(57)摘要本发明公开了一种改善声表滤波器件温漂的电路结构、封装结构和封装方法，属于声表滤波器技术领域，封装结构和封装方法用来实现电路结构的封装，其中电路结构，包括至少两个滤波器，每个滤波器均包括至少一个串联谐振器和至少一个并联谐振器，各串联谐振器和并联谐振器连接形成T型结构；其中，中心频率最小的滤波器的至少一个并联谐振器的温漂系数小于其他的谐振器的温漂系数，并且/或者中心频率最大的滤波器的至少一个串联谐振器的的温漂系数小于其他的谐振器的温漂系数。而该电路结构能够有效的改善声表滤波器件温漂的同时还能够具有更宽的通带，并且降低了成本。CN115913169ACN115913169A权利要求书1/2页1.一种改善声表滤波器件温漂的电路结构，其特征在于：包括至少两个滤波器，所述滤波器相互并联于输入端子和输出端子之间，各滤波器的通带部分重叠，每个滤波器均包括至少一个串联谐振器和至少一个并联谐振器，各串联谐振器和并联谐振器连接形成T型结构；其中，中心频率最小的滤波器的至少一个并联谐振器的温漂系数小于其他的谐振器的温漂系数，并且/或者中心频率最大的滤波器的至少一个串联谐振器的的温漂系数小于其他的谐振器的温漂系数。2.如权利要求1所述的一种改善声表滤波器件温漂的电路结构，其特征在于：温漂系数小的谐振器为温补谐振器，该温补谐振器包括至少一层温度补偿层。3.如权利要求2所述的一种改善声表滤波器件温漂的电路结构，其特征在于：中心频率最大的滤波器的各串联谐振器从输入端子至输出端子之间分别定义为第一串联谐振器、第二串联谐振器、…、第M‑1串联谐振器、第M串联谐振器，当M大于等于3时，所述第二串联谐振器至第M‑1串联谐振器中的至少一个为温补谐振器；并且/或者所述中心频率最小的滤波器的各并联谐振器从输入端子至输出端子分别定义为第一并联谐振器、第二并联谐振器、…、第N‑1并联谐振器、第N并联谐振器，当N大于等于3时，所述第二并联谐振器至第N‑1并联谐振器中的至少一个为温补谐振器。4.一种改善声表滤波器件温漂的电路封装结构，其特征在于：该封装结构包括底座，所述底座上设置有底座输入电极、底座输出电极和底座接地电极，所述底座的上方设置有第一压电基底和第二压电基底，所述第一压电基底和第二压电基底的表面分别设置有第一金属叉指电路和第二金属叉指电路，其中，第二压电基底与第二金属叉指电路共同形成了权利要求1中的一个或者多个温漂系数小的谐振器，所述第一压电基底与第一金属叉指电路共同形成了如权利要求1中的其他谐振器，各谐振器、底座上的底座输入电极、底座输出电极和底座接地电极按照权利要求1中的并联电路结构连接，所述底座的外部设置有将器件包裹的保护层。5.如权利要求4所述的一种改善声表滤波器件温漂的电路封装结构，其特征在于：所述第一压电基底固定于所述底座的上表面，所述第二压电基底倒置在第一压电基底的上方，所述第二金属叉指电路的第二输入电极、第二输出电极和第二接地电极分别通过金属凸点与第一金属叉指电路的对应的连接电极、第一输入电极、第一输出电极和第一接地电极连接，所述第一金属叉指电路的外部输入连接电极、外部输出连接电极和外部接地连接电极分别通过金属连接线与底座上的底座输入电极、底座输出电极和底座接地电极连接。6.如权利要求5所述的一种改善声表滤波器件温漂的电路封装结构，其特征在于：所述第一压电基底的面积大于第二压电基底的面积。7.如权利要求4所述的一种改善声表滤波器件温漂的电路封装结构，其特征在于：所述第一压电基底和第二压电基底均倒置在底座的上表面，所述底座上还设置有将第一金属叉指电路和第二金属叉指电路进行连接的连接电极，所述第二金属叉指电路的第二输入电极、第二输出电极和第二接地电极、第一金属叉指电路的第一输入电极、第一输出电极和第一接地电极分别通过金属凸点与底座上对应的连接电极、底座输入电极、底座输出电极和底座接地电极连接。8.一种改善声表滤波器件温漂的电路封装方法，该封装方法对权利要求4中的封装结构进行封装，包括以下步骤：2CN115913169A权