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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109196668A(43)申请公布日2019.01.11(21)申请号201880001234.4H01L33/62(2010.01)(22)申请日2018.08.24(85)PCT国际申请进入国家阶段日2018.08.31(86)PCT国际申请的申请数据PCT/CN2018/1023302018.08.24(71)申请人深圳市汇顶科技股份有限公司地址518045广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层(72)发明人冷寒剑吴宝全龙卫(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260代理人成丽杰(51)Int.Cl.H01L33/48(2010.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称发光器件的封装方法、封装结构及电子设备(57)摘要本申请涉及电子技术领域,提供了发光器件的封装方法、封装结构及电子设备。发光器件的封装方法包括:提供一基底(20);在基底(20)内制作沉孔;将发光器件(10)埋入沉孔内;在基底(20)上制作扇出式封装的焊盘引出结构(30),将发光器件(10)的焊盘牵引至基底(20)外轮廓面,并露出发光器件(10)的发光区域。采用本申请的实施例,能够降低发光器件(10)封装结构的重量、缩小发光器件(10)封装结构的体积,并能够降低功耗、提高散热效率。CN109196668ACN109196668A权利要求书1/2页1.一种发光器件的封装方法,其特征在于,包括:提供一基底;在所述基底内制作沉孔;将发光器件埋入所述沉孔内;在所述基底上制作扇出式封装的焊盘引出结构,将所述发光器件的焊盘牵引至基底外轮廓面,并露出所述发光器件的发光区域。2.根据权利要求1所述的发光器件的封装方法,其特征在于,所述扇出式封装的焊盘引出结构为重布线结构。3.根据权利要求2所述的发光器件的封装方法,其特征在于,所述在所述基底上制作扇出式封装的焊盘引出结构,将所述发光器件的焊盘牵引至基底外轮廓面,具体包括:在所述基底的正面制作用于遮光和/或绝缘的功能涂层,并在所述功能涂层与所述发光器件的焊盘的接触区域上制作开窗;在所述功能涂层上制作金属层;在所述金属层上制作保护涂层,并露出所述发光器件的发光区域;在所述保护涂层上制作开窗,暴露出部分所述金属层,将所述发光器件的焊盘牵引至暴露出的部分所述金属层。4.根据权利要求3所述的发光器件的封装方法,其特征在于,还包括:在暴露出的部分所述金属层上制作焊点。5.根据权利要求1所述的发光器件的封装方法,其特征在于,所述扇出式封装的焊盘引出结构为重布线与通孔的组合结构。6.根据权利要求5所述的发光器件的封装方法,其特征在于,所述在所述基底上制作扇出式封装的焊盘引出结构,将所述发光器件的焊盘牵引至基底外轮廓面,具体包括:在所述基底上制作通孔;在所述基底的正面制作用于遮光和/或绝缘的功能涂层,并在所述通孔与所述功能涂层的接触位置,以及在所述功能涂层与所述发光器件的焊盘的接触区域上制作开窗;在所述功能涂层上制作金属层,将所述发光器件的焊盘通过所述金属层和所述通孔牵引至所述基底的背面;在所述金属层上制作保护涂层,并露出所述发光器件的发光区域。7.根据权利要求6所述的发光器件的封装方法,其特征在于,还包括:在所述通孔在所述基底的背面的开口处制作焊点。8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件的封装方法,其特征在于,在所述基底内制作的沉孔大于1个,其中,至少一个沉孔用于埋入发光器件,至少一个沉孔用于埋入光电转换器件;在所述基底上制作的扇出式封装的焊盘引出结构,包括所述发光器件的焊盘引出结构和所述光电转换器件的焊盘引出结构,并且,所述发光器件的焊盘引出结构和所述光电转换器件的焊盘引出结构互连。9.根据权利要求8所述的发光器件的封装方法,其特征在于,所述光电转换器件为光电二极管PD芯片或影像传感类芯片。10.一种发光器件的封装结构,其特征在于,包括:2CN109196668A权利要求书2/2页基底,所述基底内设有沉孔;发光器件,所述发光器件位于所述沉孔内;焊盘引出结构,所述焊盘引出结构为扇出式封装的焊盘引出结构,用于将所述发光器件的焊盘牵引至基底外轮廓面,并露出所述发光器件的发光区域。11.根据权利要求10所述的发光器件的封装结构,其特征在于,所述扇出式封装的焊盘引出结构为重布线结构;或者,所述扇出式封装的焊盘引出结构为重布线与通孔的组合结构。12.根据权利要求11所述的发光器件的封装结构,其特征在于,所述扇出式封装的焊盘引出结构为重布线结构,所述重布线结构包括:用于遮光和/或绝缘的功能涂层,所述功能涂层位于所述基底的正面,并在与所述发光器件的焊盘的接触区域上设有开窗;用于通过所述接触区域上的开窗与所述发光器件电性连接的