封装结构、封装方法以及滤波器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115483899A(43)申请公布日2022.12.16(21)申请号202110601664.3(22)申请日2021.05.31(71)申请人中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司地址201210上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309(72)发明人罗海龙谷成进(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327专利代理师吴凡高静(51)Int.Cl.H03H3/02(2006.01)H03H9/02(2006.01)H03H9/10(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图6页(54)发明名称封装结构、封装方法以及滤波器(57)摘要一种封装结构、封装方法以及滤波器，封装方法的形成通孔的步骤中，通孔侧壁的底部形成横向侧掏区域位于横向边缘区域，且通孔侧壁上形成有凹陷导致通孔侧壁的粗糙度较高，在形成保护层的步骤中，保护层会填充横向侧掏区域以及通孔侧壁上的凹陷，在去除通孔横向中心区域的保护层，至少保留横向边缘区域底部的保护层的步骤中，横向侧掏区域的保护层被保留，通孔侧壁的凹陷被保护层填充，从而形成种子层的步骤中，种子层避免了填充横向侧掏区域和凹陷，形成的种子层不易出现不连续的情况，使得再布线结构或者凸块下金属层不易短路或开路，有利于提高封装结构的形成质量。CN115483899ACN115483899A权利要求书1/2页1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆上形成有介质层和位于所述介质层顶部的电极层；形成覆盖所述介质层和电极层的封装层；图形化所述封装层，形成露出所述电极层的通孔，以垂直于所述通孔的延伸方向为横向，所述通孔包括横向中心区域和位于所述横向中心区域两侧的横向边缘区域；形成保形覆盖所述封装层、以及通孔侧壁和底部的保护层；去除所述通孔横向中心区域的所述保护层，至少保留所述横向边缘区域底部的所述保护层；在所述封装层靠近所述通孔的部分顶部、封装层的侧壁、电极层的顶部以及保护层侧壁上形成种子层。2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成露出所述电极层的通孔的步骤中，所述通孔露出部分横向尺寸的所述电极层，或者所述通孔露出全部横向尺寸的所述电极层，或者所述通孔露出全部横尺寸的所述电极层和电极层横向两侧部分尺寸的所述介质层。3.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，去除所述通孔横向中心区域的所述保护层，至少保留所述横向边缘区域底部的所述保护层的步骤中，还去除所述封装层顶部的所述保护层。4.如权利要求1或3所述的封装结构的形成方法，其特征在于，采用各向异性的干法刻蚀工艺去除所述通孔横向中心区域的所述保护层，至少保留所述横向边缘区域底部的所述保护层。5.如权利要求1或3所述的封装结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性的干法刻蚀工艺去除所述通孔横向中心区域的所述保护层，至少保留所述横向边缘区域底部的所述保护层。6.如权利要求5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述各向同性的干法刻蚀工艺包括SiConi刻蚀工艺或者Certas刻蚀工艺。7.如权利要求1或3所述的封装结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述通孔横向中心区域的所述保护层，至少保留所述横向边缘区域底部的所述保护层。8.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺形成所述保护层。9.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层的厚度与封装层的厚度的比值0.1至0.2。10.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括：氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃中的一种或多种。11.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述封装结构的形成方法还包括：在所述种子层上形成再布线结构或者凸块下金属层；采用电镀工艺形成所述再布线结构或者凸块下金属层。12.如权利要求11所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成所述种子层的步骤包括：形成保形覆盖所述封装层的顶部和侧壁、保护层以及电极层的种子材料层；图形化所述种子材料层，形成所述种子层；2CN115483899A权利要求书2/2页采用物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述种子材料层。13.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述封装层的材料包括光刻胶或干膜类光刻材料。14.一种封装结构，其特征在于，包括：器件晶圆；介质层，位于所述器件晶圆上；电极层，位于所述介质层的顶部；封装层，位于所述介质层上，所述封装层中具有露出所述电极层的通孔，以垂直于所述通孔的延伸方向为横向，所述通孔包括横向中心区域和位于所述横向中心区域两侧的横向边