半导体元件、电子系统及其半导体元件静电放电保护方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115911004A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202210350211.2(22)申请日2022.04.02(30)优先权数据17/396,2752021.08.06US(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市(72)发明人李俊禄(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003专利代理师黄艳(51)Int.Cl.H01L23/60(2006.01)H01L27/02(2006.01)权利要求书3页说明书15页附图12页(54)发明名称半导体元件、电子系统及其半导体元件静电放电保护方法(57)摘要本公开提供一种半导体元件、一种电子系统以及一种半导体元件的静电放电保护方法。该半导体芯片具有一基底；一操作焊料结构，设置在该基底的一第一表面上以接收一操作信号；一检测焊料结构，设置在该基底的该第一表面上以接收一芯片连接信号；以及一半导体芯片，设置在该基底的一第二表面上。该半导体芯片具有一操作电性接触点，耦接到该操作焊料结构；一检测电性接触点，耦接到该检测焊料结构；一静电放电保护单元，耦接到该操作电性接触点；以及一逻辑电路，耦接到该检测电性接触点以依据该芯片连接信号而调整该静电放电保护单元的电容值。CN115911004ACN115911004A权利要求书1/3页1.一种半导体元件，包括：一基底；一操作焊料结构，设置在该基底的一第一表面上，且经配置以接收一操作信号；一检测焊料结构，设置在该基底的该第一表面上，且经配置以接收一芯片连接信号；以及一第一半导体芯片，设置在该基底的一第二表面上，并包括：一第一操作电性接触点，经由该基底而耦接到该操作焊料结构；一第一检测电性接触点，经由该基底而耦接到该检测焊料结构；一第一静电放电保护单元，耦接到该第一操作电性接触点；以及一第一逻辑电路，耦接到该第一检测电性接触点，并经配置以依据该芯片连接信号而调整该第一静电放电保护单元的电容值。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一半导体芯片还包括一存储器电路，经配置以依据至少该操作信号而执行多个操作。3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一静电放电保护单元包括：一第一静电放电保护元件，耦接在该第一操作电性接触点与一电压端子之间；一第二静电放电保护元件；以及一控制电路，与该第二静电放电保护元件串联而耦接在该第一操作电性接触点与该电压端子之间；其中该电压端子耦接到一接地或是一电源电压。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该控制电路包括一开关，而该第一逻辑电路经配置以开启或关闭该开关，进而调整该第一静电放电保护单元的电容值。5.如权利要求3所述的半导体元件，其中该控制电路包括一熔丝，而该第一逻辑电路经配置以熔断该熔丝，进而降低该第一静电放电保护单元的电容值。6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第二半导体芯片，横向邻近该第一半导体芯片并设置在该基底的该第二表面上或堆叠在该第一半导体芯片上，其中该第二半导体芯片包括：一第二操作电性接触点，耦接到该操作焊料结构；一第二检测电性接触点，耦接到该检测焊料结构；一第二静电放电保护单元，耦接到该第二操作电性接触点；以及一第二逻辑电路，耦接到该第二检测电性接触点，且经配置以依据该芯片连接信号而调整该第二静电放电保护单元的电容值。7.一电子系统，包括：一电路板；以及一第一半导体元件，耦接到该电路板，并包括：一第一基底；一第一操作焊料结构，设置在该第一基底的一第一表面上，且经配置以接收一第一操作信号；一第一检测焊料结构，设置在该第一基底的该第一表片上，且经配置以接收一第一芯片连接信号；以及2CN115911004A权利要求书2/3页一第一半导体芯片，设置在该第一基底的一第二表面上，并包括：一第一操作电性接触点，耦接到该第一操作焊料结构；一第一检测电性接触点，耦接到该第一检测焊料结构；一第一静电放电保护单元，耦接到该第一操作电性接触点；以及一第一逻辑电路，耦接到该第一检测电性接触点，并经配置以依据由至少该第一芯片连接信号而调整该第一静电放电保护单元的电容值。8.如权利要求7所述的电子系统，其中该第一半导体元件还包括一第二半导体芯片，侧向邻近该第一半导体芯片并设置在该第一基底的该第二表面上或是堆叠在该第一半导体基底上，其中该第二半导体芯片包括：一第二操作电性接触点，耦接到该第一操作焊料结构；一第二检测电性接触点，耦接到该第一检测焊料结构；一第二静电放电保护单元，耦接到该第二操作电性接触点；以及一第二逻辑电路，耦接到该第二检测电性接触点，且经配置以依据该第一芯片连接信号而调整该第二静电放电保护单元的电容值。9.如权利要求7所述的电子系统，还包括一第二半导体元件，经由该电路板而耦接到该第一半导体元件，其中：该第二半导体元件的