存储器阵列、集成组合件、形成位线的方法以及形成集成组合件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112071839A(43)申请公布日2020.12.11(21)申请号202010186390.1(22)申请日2020.03.17(30)优先权数据16/435,9242019.06.10US(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人祐川光成竹谷博昭(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人王龙(51)Int.Cl.H01L27/108(2006.01)H01L21/8242(2006.01)权利要求书3页说明书18页附图63页(54)发明名称存储器阵列、集成组合件、形成位线的方法以及形成集成组合件的方法(57)摘要本申请涉及一种存储器阵列、集成组合件、形成位线的方法以及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有通过中间空隙而彼此间隔开的位线。绝缘支撑物处于所述位线上方。导电板由所述绝缘支撑物支撑并且靠近所述位线以从所述位线排出过量电荷。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。将堆叠形成为具有处于位线材料上方的绝缘材料。将所述堆叠图案化成沿着第一方向延伸的轨道。所述轨道包含作为位线的经过图案化的位线材料，并且包含作为所述位线上方的绝缘支撑物的经过图案化的绝缘材料。所述轨道沿着与所述第一方向正交的第二方向通过空隙彼此间隔开。在所述空隙内形成牺牲材料。在所述绝缘支撑物和所述牺牲材料上方形成导电板。从所述导电板下方移除所述牺牲材料以重新形成所述CN112071839A空隙。CN112071839A权利要求书1/3页1.一种存储器阵列，其包括：位线，所述位线通过中间空隙彼此间隔开；字线，所述字线与所述位线竖直偏移并且与所述位线交叉；以及存储器单元，所述存储器单元靠近所述字线与所述位线交叉的位置；所述存储器单元中的每个存储器单元通过字线和位线的组合唯一地寻址；所述存储器单元中的每个存储器单元的侧外围配合在4F2的区域内。2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述位线沿着第一方向延伸并且具有沿着与所述第一方向正交的横截面的第一宽度；并且其中所述空隙具有沿着所述横截面的第二宽度，所述第二宽度至少与所述第一宽度一样大。3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其中所述第二宽度大于所述第一宽度。4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中所述第二宽度至少是所述第一宽度的约两倍。5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述空隙具有沿着横截面的外围；所述外围具有底部区域和侧壁区域；所述空隙的所述外围的所述底部区域和所述侧壁区域由氮化硅界定。6.一种集成组合件，其包括：位线，所述位线通过中间空隙彼此间隔开；绝缘支撑物，所述绝缘支撑物处于所述位线上方；以及导电板，所述导电板由所述绝缘支撑物支撑并且靠近所述位线以从所述位线排出过量电荷。7.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述导电板与参考源电耦合。8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述参考源具有接地电压。9.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述中间空隙延伸到所述导电板的下表面。10.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述导电板包括金属氮化物。11.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述导电板包括氮化钛。12.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述空隙具有沿着横截面的外围；所述外围具有底部区域和侧壁区域；所述空隙的所述外围的所述底部区域和所述侧壁区域由氮化硅界定。13.根据权利要求6所述的集成组合件，其包括：字线，所述字线与所述位线竖直偏移并且与所述位线交叉；以及存储器单元，所述存储器单元靠近所述字线与所述位线交叉的位置；所述存储器单元中的每个存储器单元通过字线和位线的组合唯一地寻址；所述存储器单元中的每个存储器单元的侧外围配合在4F2的区域内。14.一种集成组合件，其包括：一行竖直延伸的半导体柱；所述半导体柱中的每个半导体柱包括晶体管沟道区域，所述晶体管沟道区域竖直安置在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间；字线，所述字线沿着所述行竖直延伸的半导体柱延伸，并且邻近于所述半导体柱的所述晶体管沟道区域；所述字线具有第一侧表面和相对的第二侧表面；所述半导体柱被细分为沿着所述第一侧表面的第一组和沿着所述第二侧表面的第二组；所述第一组的所述半导2CN112071839A权利要求书2/3页体柱沿着所述行与所述第二组的所述半导体柱交替；栅极介电材料，所述栅极介电材料处于所述第一侧表面与所述第一组的所述半导体柱的所述晶体管沟道区域之间，并且处于所述第二侧表面与所述第二组的所述半导体柱的所述晶体管沟道区域之间；导电屏蔽材料，所述导电屏蔽材料处于所述第一组的所述半导体柱之间，并且处于所述第二组的所述半导体柱之间；位线，所述位线与所述第一源极/漏极区域耦合，所述