集成组合件和形成集成组合件的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115497939A(43)申请公布日2022.12.20(21)申请号202210197474.4H01L21/8242(2006.01)(22)申请日2022.03.02(30)优先权数据17/350,3552021.06.17US(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人中村吉孝D·D·史莱伦李宜芳S·E·西里斯J·A·伊莫尼吉K·什里马利(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287专利代理师彭晓文(51)Int.Cl.H01L27/108(2006.01)H01L29/06(2006.01)权利要求书3页说明书7页附图4页(54)发明名称集成组合件和形成集成组合件的方法(57)摘要本公开的实施例涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件含有包含一或多种过渡金属的第一结构且含有在所述第一结构上方的第二结构。所述第二结构具有直接抵靠所述第一结构的第一区域且具有通过间隙区域与所述第一结构间隔开的第二区域。所述第二结构包含具有选自周期表的第13族的至少一个元素以及选自所述周期表的第15族和第16族的至少一个元素的半导体材料。离子化合物在所述间隙区域内。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。CN115497939ACN115497939A权利要求书1/3页1.一种集成组合件，其包括：第一结构，其包含一或多种过渡金属；第二结构，其在所述第一结构上方且具有直接抵靠所述第一结构的第一区域和通过间隙区域与所述第一结构间隔开的第二区域；所述第二结构包括半导体材料，所述半导体材料包含选自周期表的第13族的至少一个元素以及选自所述周期表的第15族和第16族的至少一个元素；以及离子化合物，其在所述间隙区域内。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述离子化合物包括来自所述第一结构的所述一或多种过渡金属中的至少一者。3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述一或多种过渡金属中的所述至少一者包含钴、铜、铱、钼、钌、钽、钛和钨中的一或多者。4.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第一结构包含呈金属氧化物、金属硅化物、金属碳化物、金属氮化物和金属硼化物中的一或多者的形式的所述一或多种过渡金属中的所述至少一者。5.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述离子化合物进一步包括所述第二结构的所述半导体材料的所述元素中的一或多者。6.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述离子化合物进一步包括不存在于所述第一结构或所述第二结构中的一或多个元素。7.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第一结构包括钨，所述第二结构包括镓，且所述离子化合物包括钨酸镓。8.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第一结构包括钨，所述第二结构包括铟，且所述离子化合物包括钨酸铟。9.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第一结构的所述一或多种过渡金属为第一过渡金属，其中所述第二结构包括一或多种第二过渡金属，且其中所述离子化合物包括所述第二过渡金属中的至少一者。10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述一或多种第二过渡金属包含锌，其中所述一或多种第一过渡金属包含钨，且其中所述离子化合物包括钨酸锌。11.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二结构包含在一对外部部分之间的中心部分；其中所述中心部分包括所述半导体材料；其中所述外部部分包括一或多个导电氧化物材料；并且其中所述第一区域和所述第二区域沿所述外部部分中的一者的外部表面。12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述外部部分包括彼此相同的导电氧化物材料。13.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述外部部分包括相对于彼此不同的导电氧化物材料。14.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述外部部分中的所述一者包括氧化铟，其中所述第一结构包括钨，且其中所述离子化合物包括钨酸铟。15.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述离子化合物填充所述间隙区域的至少大部分。2CN115497939A权利要求书2/3页16.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述离子化合物填充所述间隙区域的全部。17.一种存储器配置，其包括：数字线，其包含一或多种过渡金属；晶体管，其在所述数字线上方且具有包含半导体材料的有源区域，所述半导体材料含有选自周期表的第13族的至少一个元素以及选自所述周期表的第15族和第16族的至少一个元素；所述有源区域与所述数字线耦合且具有下部表面，所述下部表面具有直接抵靠所述数字线的第一部分且具有通过间隙区域与所述数字线间隔开的第二部分；所述晶体管包含以操作方式邻近所述有源区域的门控结构，其中所述门控结构与字线耦合；离子化合物，其在所述间隙区域内，所述离子化合物包括来自所述数字