形成集成式组合件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110993604A(43)申请公布日2020.04.10(21)申请号201910913339.3(22)申请日2019.09.25(30)优先权数据16/150,4122018.10.03US(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人李宏R·I·文卡塔纳拉亚南山·D·唐E·L·珀尔斯特拉(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人王龙(51)Int.Cl.H01L27/108(2006.01)H01L21/8242(2006.01)权利要求书4页说明书12页附图34页(54)发明名称形成集成式组合件的方法(57)摘要一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。提供具有导电线且具有轨道的结构，所述轨道位于所述导电线上方且沿与所述导电线交叉的方向延伸。所述轨道中的每一者包含半导体材料的柱。所述轨道具有沿着所述轨道之间的空间的侧壁表面。所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段。沿着所述轨道的所述侧壁表面形成第一材料衬里。在所述衬里上方形成第二材料。移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙。所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方。在所述间隙内形成导电材料。所述导电材料配置为沿着所述柱的所述中间分段的导电线。CN110993604ACN110993604A权利要求书1/4页1.一种形成集成式组合件的方法，其包括：提供具有沿着第一方向延伸的间隔开的导电线且具有轨道的结构，所述轨道位于所述导电线上方且沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；所述轨道中的每一者包括通过绝缘材料的介入区彼此间隔开的半导体材料的柱；所述轨道通过介入空间彼此横向上间隔开；所述轨道具有沿着所述空间的侧壁表面；所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段；沿着所述轨道的所述侧壁表面形成衬里，所述衬里包括第一材料；在所述衬里上方形成第二材料；移除所述衬里的第一区段以在所述第二材料与所述轨道的所述侧壁表面之间形成间隙；所述衬里的第二区段保留于所述间隙下方；及在所述间隙内形成导电材料；所述导电材料配置为沿着所述第二方向延伸的导电线；所述导电线沿着所述柱的所述中间分段。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述轨道的所述侧壁表面的第一部分位于所述间隙上面，且其中所述导电材料经形成为完全填充所述间隙且沿着所述轨道的所述侧壁表面的所述第一部分延伸。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电线并入到存储器阵列的字线中，且其中沿着所述侧壁表面的所述第一部分的所述导电材料中的至少一些保留为所述字线的上部部分。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述间隙内的所述导电材料包括所述字线的下部部分；且其中所述字线的所述上部部分比所述字线的所述下部部分横向上厚。5.根据权利要求2所述的方法，其中移除沿着所述侧壁表面的所述第一部分的所述导电材料以留下仅在所述间隙内的所述导电线。6.根据权利要求1所述的方法，其中：底部表面沿着所述轨道之间的所述介入空间；所述衬里沿着所述底部表面以及沿着所述侧壁表面延伸；且所述衬里的所述第二区段沿着所述底部表面且部分地沿所述侧壁表面向上延伸。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在于所述间隙内形成所述导电材料之后，从所述衬里的所述第二区段上方移除所述第二材料。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅，且其中所述第二材料包括二氧化硅。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅，且其中所述第二材料基本上由硅组成。10.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一材料包括氮化硅，且其中所述第二材料包括多晶硅。11.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括移除所述衬里的所述第二区段。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一材料包括多晶硅，且其中所述第二材料包括二氧化硅。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料是第一导电材料且经形成为在所述间隙的下部区内而留下所述间隙的上部区保留于所述下部区上方；其中在剩余上部区内形成第二导电材料；且其中所述第二导电材料包括不同于所述第一导电材料的组合物。2CN110993604A权利要求书2/4页14.一种形成集成式组合件的方法，其包括：提供具有半导体材料的第一面板及绝缘材料的第二面板的结构；所述第一与第二面板沿着第一方向延伸且沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此交替；形成延伸到所述结构中的沟槽；所述沟槽沿着所述第二方向延伸；所述沟槽将所述结构的上部部分形成为轨道；所述轨道包括所述半导体材料的柱；所述沟槽的内部表面包含所述轨道的侧壁表面；所述柱具有上部分段、中间分段及下部分段；形成在所述轨道上方且沿着所述沟槽的所述内部表面延伸的第一材料；所述第一材料形成沿着所述轨道的所述侧