集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113948528A(43)申请公布日2022.01.18(21)申请号202110755891.1(22)申请日2021.07.05(30)优先权数据16/930,8432020.07.16US(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人P·纳拉亚南(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人王龙(51)Int.Cl.H01L27/1157(2017.01)H01L27/11582(2017.01)权利要求书3页说明书9页附图8页(54)发明名称集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法(57)摘要本申请涉及一种集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成集成电路系统的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述第一层包括掺杂二氧化硅，且所述第二层包括未掺杂二氧化硅。将水平拉长的沟槽形成到所述堆叠中。穿过所述沟槽相对于所述第二层中的所述未掺杂二氧化硅选择性地蚀刻所述第一层中的所述掺杂二氧化硅。传导材料形成于所述第一层中通过所述蚀刻而留下的空隙空间中。公开了独立于方法的结构。CN113948528ACN113948528A权利要求书1/3页1.一种用于形成集成电路系统的方法，其包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述第一层包括掺杂二氧化硅，所述第二层包括未掺杂二氧化硅；将水平拉长的沟槽形成到所述堆叠中；穿过所述沟槽相对于所述第二层中的所述未掺杂二氧化硅选择性地蚀刻所述第一层中的所述掺杂二氧化硅；以及在所述第一层中通过所述蚀刻而留下的空隙空间中形成传导材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中除了硅和氧以外，所述掺杂二氧化硅包括至少1×1018个原子/cm3的总掺杂剂原子。3.根据权利要求1所述的方法，其中除了硅和氧以外，所述掺杂二氧化硅包括至少1原子百分比的总掺杂剂原子。4.根据权利要求1所述的方法，其中除了硅和氧以外，所述掺杂二氧化硅还包括至少5原子百分比的总掺杂剂原子。5.根据权利要求1所述的方法，其中除了硅和氧以外，所述掺杂二氧化硅包括至少1×1018个原子/cm3到不大于30原子百分比的总掺杂剂原子。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂二氧化硅包括BPSG、BSG和PSG中的至少一种。7.根据权利要求1所述的方法，其中除了硅和氧以外，所述未掺杂二氧化硅包括0个原子/cm3到不大于最小1×1010个原子/cm3的总掺杂剂原子。8.根据权利要求1所述的方法，其中除了硅和氧以外，所述未掺杂二氧化硅包括0个原子/cm3到不大于最小1×105个原子/cm3的总掺杂剂原子。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻是用至少主要在所述气相中的蚀刻化学物质进行的。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻是用至少主要在所述液相中的蚀刻化学物质进行的。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述堆叠包括第一区和所述第一区旁边的第二区，所述蚀刻和在所述空隙空间中所述形成传导材料发生在所述第一区中而不是所述第二区中，使得所述第一层中的所述掺杂二氧化硅和所述第二层中的所述未掺杂二氧化硅在所述集成电路系统的成品构造中保持在所述第二区中。12.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述第一层包括掺杂二氧化硅，所述第二层包括未掺杂二氧化硅，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述横向间隔开的存储器块区之间具有水平拉长的沟槽，沟道材料串延伸穿过所述存储器块区中的所述第一层和所述第二层；穿过所述沟槽相对于所述第二层中的所述未掺杂二氧化硅选择性地蚀刻所述第一层中的所述掺杂二氧化硅；在所述第一层中通过所述蚀刻而留下的空隙空间中形成导电线的传导材料；以及使介入材料形成于所述沟槽中，在横向上位于横向紧邻的所述存储器块区之间且在纵向上沿着所述存储器块区。2CN113948528A权利要求书2/3页13.根据权利要求12所述的方法，其中所述堆叠包括第一区和所述第一区旁边的第二区，所述沟道材料串形成于所述第一区中，所述蚀刻和在所述空隙空间中所述形成传导材料发生在所述第一区中而不是所述第二区中，使得所述第一层中的所述掺杂二氧化硅和所述第二层中的所述未掺杂二氧化硅在所述存储器阵列的成品构造中保持在所述第二区中。14.根据权利要求12所述的方法，其中所述沟道材料串包括成品集成电路系统构造中的所述堆叠中的存储器单元串的部分，所述存储器单元中的个别存储器单元在所述第一层中的个别第一层中且包括：所述沟道材料串的沟道材料；栅极区，其为所述导电线中的一个的部分；以及存储器结构，其在横向上位于所述栅极区与所述沟道材料之间，所述存储器结构包括：电荷阻挡区，其横向邻近所述