形成图案的方法及对集成式组合件的导电结构进行图案化的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111477586A(43)申请公布日2020.07.31(21)申请号201911077827.1(22)申请日2019.11.06(30)优先权数据16/255,4582019.01.23US(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人武藤章(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人王龙(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L23/535(2006.01)H01L27/02(2006.01)H01L21/027(2006.01)权利要求书4页说明书10页附图21页(54)发明名称形成图案的方法及对集成式组合件的导电结构进行图案化的方法(57)摘要本申请案涉及形成图案的方法及对集成式组合件的导电结构进行图案化的方法。一些实施例包含一种形成图案的方法。将第一层形成为在光致抗蚀剂特征上方且沿着光致抗蚀剂特征的侧壁延伸。蚀刻第一层以形成第一特征。移除光致抗蚀剂特征。将第二层形成为在第一特征上方且沿着第一特征的侧壁延伸。蚀刻第二层以形成第二特征。将第三层形成为在第一特征及第二特征上方且沿着第二特征的侧壁延伸。在第三层上方旋涂第四层。从第一特征及第二特征上方移除第四层的一部分。第三层的若干区段保持沿着第二特征的侧壁。第四层的若干区域保留作为邻近区段的块。移除第一特征及区段而留下图案。CN111477586ACN111477586A权利要求书1/4页1.一种形成组合件的方法，其包括：在衬底上方形成第一特征；所述第一特征包括第一材料；所述第一特征沿着一横截面包括一对相对侧壁；所述第一特征的所述相对侧壁为第一侧壁及第二侧壁；形成一对第二特征，所述对特征为所述第二特征中的第一者及所述第二特征中的第二者；所述第二特征中的所述第一者是沿着所述第一侧壁，且所述第二特征中的所述第二者是沿着所述第二侧壁；所述第二特征包括成分与所述第一材料不同的第二材料；所述第二特征与所述第一特征一起形成三联体结构；所述三联体结构沿着所述横截面包括一对相对侧壁，且包括具有所述第一特征及所述第二特征的经暴露区域的上部表面；将第三材料的层形成为沿着所述三联体结构的所述相对侧壁、跨越所述三联体结构的所述上部表面且沿着所述衬底的邻近所述三联体结构的上部表面延伸；所述第三材料的竖直延伸区段是沿着所述三联体结构的所述相对侧壁；所述第三材料的水平延伸区段从所述竖直延伸区段向外延伸且沿着所述衬底的邻近所述三联体结构的所述表面；在所述第三材料的所述层上方形成聚合材料；从所述三联体结构上方移除所述聚合材料；其中所述聚合材料的若干区域保持处于所述第三材料的所述水平延伸区段上方；其中所述聚合材料的所述区域与所述第三材料的所述水平延伸区段一起形成邻近所述第三材料的所述竖直延伸区段的块；及移除所述第一特征及所述第三材料的所述竖直延伸区段而在所述衬底上方留下一图案；所述图案包括所述第二特征及所述块、包括所述第二特征之间的第一间隙、包括所述第二特征中的所述第一者与所述块中的一者之间的第二间隙，且包括所述第二特征中的所述第二者与所述块中的另一者之间的第三间隙。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含导电材料的扩展区；且所述方法进一步包括将所述图案转印到所述导电材料的所述扩展区中以从所述导电材料的所述扩展区形成布线结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料及所述第三材料为彼此相同的组合物。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一材料及所述第三材料包括二氧化硅。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二材料包括氮化硅。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合材料主要包括碳及氢。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一特征、所述第二特征及所述竖直延伸区段全部沿着所述横截面具有彼此大约相同的水平宽度。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述相同水平宽度为第一水平宽度；其中所述块沿着所述横截面具有第二水平宽度；且其中所述第二水平宽度为所述第一水平宽度的至少大约两倍。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述三联体结构是沿着所述横截面形成的一对邻近三联体结构中的一者；其中所述邻近三联体结构通过具有大约所述相同水平宽度的中间间隙而彼此间隔开。10.一种形成组合件的方法，其包括：在衬底上方形成光致抗蚀剂特征；所述光致抗蚀剂特征沿着一横截面具有顶部表面及一对侧壁表面；2CN111477586A权利要求书2/4页将第一层形成为沿着所述衬底、沿着所述光致抗蚀剂特征的所述顶部表面且沿着所述光致抗蚀剂特征的所述侧壁表面延伸；所述第一层包括二氧化硅；对所述第一层进行各向异性蚀刻以沿着所述光致抗蚀剂特征的所述侧壁表面形成第一特征；所述第一特征具有侧壁表面；移除所述光致抗蚀剂特