形成图案化特征的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115938919A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202210914706.3(22)申请日2022.08.01(30)优先权数据63/229,3322021.08.04US(71)申请人ASMIP私人控股有限公司地址荷兰阿尔梅勒(72)发明人Y.汤姆恰克(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105专利代理师焦玉恒(51)Int.Cl.H01L21/033(2006.01)H01L21/027(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称形成图案化特征的方法(57)摘要公开了形成图案化特征的方法和包括图案化特征的结构。示例性方法包括在结构的侧壁上选择性地形成表面能改性表面和/或在衬底的表面上形成表面能可调层。表面能改性表面可以通过沉积材料和/或通过处理侧壁表面和/或通过处理邻近侧壁表面的表面来形成。CN115938919ACN115938919A权利要求书1/2页1.一种形成图案化特征的方法，该方法包括以下步骤：提供包括底层和衬底表面上的图案化结构的衬底；在图案化结构的侧壁上选择性地形成表面能改性层；以及将定向自组装材料沉积到衬底上，其中，表面能改性层促进定向自组装材料的第一和第二组分中的一种或多种的取向。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述自组装材料包含嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包含第一嵌段聚合物和第二嵌段聚合物。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一嵌段聚合物对应于所述第一组分，所述第二嵌段聚合物对应于所述第二组分。4.根据权利要求1‑3中任一项所述的方法，其中，所述第一组分具有第一侧壁表面能和第一底层表面能，所述第一侧壁表面能小于所述第一底层表面能。5.根据权利要求1‑4中任一项所述的方法，其中，所述第二组分具有第二侧壁表面能和第二底层表面能，所述第二侧壁表面能大于所述第二底层表面能。6.根据权利要求1‑5中任一项所述的方法，其中，所述底层包括硅和碳。7.根据权利要求1‑6中任一项所述的方法，其中，所述表面能改性层包括碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅和无定形碳中的一种或多种。8.根据权利要求1‑7中任一项所述的方法，其中，在所述图案化结构的侧壁上选择性形成表面能改性层的步骤包括选择性沉积所述表面能改性层。9.根据权利要求8所述的方法，其中，选择性形成表面能改性层的步骤包括循环沉积过程。10.根据权利要求8或9所述的方法，其中，选择性形成表面能改性层的步骤包括原子层沉积过程。11.一种形成图案化特征的方法，该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底的表面上形成表面能可调层；将表面能可调层的第一部分暴露于辐射和受激物质中的一种或多种，以相对于表面能可调层的第二部分的表面能改变第一部分的表面能；以及将包括第一组分和第二组分的定向自组装材料沉积到衬底上，其中，第一部分和第二部分中的一个或多个促进定向自组装材料的第一和第二组分中的一种或多种的取向。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述表面能可调层包括碳化硅、碳氧化硅和金属氧化物中的一种或多种。13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，使用循环沉积过程形成所述表面能可调层。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述循环沉积方法是等离子体增强循环沉积方法。15.根据权利要求11‑14中任一项所述的方法，其中，所述衬底包括图案化结构，并且其中，所述方法还包括在图案化结构的侧壁上选择性形成表面能改性层。16.根据权利要求11‑15中任一项所述的方法，其中，所述定向自组装材料包括嵌段共2CN115938919A权利要求书2/2页聚物。17.根据权利要求11‑16中任一项所述的方法，还包括在暴露步骤之前处理表面能可调层的步骤。18.根据权利要求11‑16中任一项所述的方法，还包括在形成表面能可调层的步骤期间操纵一个或多个处理参数以修改表面能可调层的表面能的步骤。19.根据权利要求18所述的方法，其中，操纵步骤促进所述定向自组装材料的组分的对准。20.一种包括根据权利要求1‑19中任一项所述的方法形成的图案化特征的结构。3CN115938919A说明书1/8页形成图案化特征的方法技术领域[0001]本公开总体涉及在衬底表面上形成图案化特征的方法。更具体地，本公开涉及使用表面能改性层和/或表面能可调层形成图案化特征的方法，以及使用这种方法形成的结构。背景技术[0002]在电子器件的制造过程中，通过图案化衬底表面并从图案化表面蚀刻材料或者在图案化表面上选择性沉积材料，可以在衬底表面上形成特征的精细图案。随着衬底上器件密度的增加，越来越希望形成尺寸更小的特征。[0003]在蚀刻之前，光致抗蚀剂通常用于图案化衬底的表面。可以通过以下步骤在光致抗蚀剂中形成图案：将光致抗蚀剂层施加到衬