封装结构及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954330A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202310120170.2(22)申请日2023.02.03(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人陈小璇(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205专利代理师臧建明黄健(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L25/00(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图4页(54)发明名称封装结构及其制备方法(57)摘要本公开提供一种封装结构及其制备方法，封装结构包括基板和两个芯片组，两个芯片组分别设置于基板的沿厚度方向的两侧，两个芯片组在基板的所在平面上的正投影至少部分重合，且两个芯片组均与基板电连接。两个芯片组在基板的所在平面上的正投影至少部分重合，从而使得芯片组与基板的热膨胀系数不匹配而产生的分布于基板沿厚度方向的两侧的应力可以至少部分相互抵消，以使基板沿厚度方向的两侧的翘曲现象可以至少部分相互抵消，从而缓解翘曲现象。因此，本公开提供的封装结构及其制备方法，可以改善封装结构的翘曲现象。CN115954330ACN115954330A权利要求书1/3页1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板和两个芯片组，两个所述芯片组分别设置于所述基板的沿厚度方向的两侧，两个所述芯片组在所述基板的所在平面上的正投影至少部分重合，且两个所述芯片组均与所述基板电连接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，两个所述芯片组在所述基板的所在平面上的正投影相互重合，且两个所述芯片组对称设置于所述基板的沿厚度方向的两侧。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述芯片组均包括隔离层和多个芯片，在同一所述芯片组中，多个所述芯片沿所述基板的厚度方向层叠设置，多个所述芯片与所述基板之间以及每相邻两个所述芯片之间均设置有所述隔离层。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，在同一所述芯片组中，多个所述芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片位于所述第二芯片靠近所述基板的一侧，所述第二芯片在所述基板的所在平面上的正投影的部分位于所述第一芯片在所述基板的所在平面上的正投影外。5.根据权利要求3或4所述的封装结构，其特征在于，还包括多个第一导电件，多个所述第一导电件分别位于所述基板的沿厚度方向的两侧，所述第一导电件与所述芯片对应设置，所述芯片与所述基板通过所述第一导电件电连接，所述第一导电件在所述基板的所在平面上的正投影位于所述芯片组在所述基板的所在平面上的正投影内。6.根据权利要求1‑4任一所述的封装结构，其特征在于，还包括封装层，所述封装层位于所述基板的沿厚度方向的两侧，所述封装层包覆所述芯片组以及部分所述基板。7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，还包括多个第二导电件，多个所述第二导电件分别位于所述基板的沿厚度方向的两侧，部分所述第二导电件位于所述封装层中，所述第二导电件在所述基板的所在平面上的正投影位于所述芯片组在所述基板的所在平面上的正投影外；在所述基板的沿厚度方向的同一侧，所述第二导电件的一端与所述基板相连，所述第二导电件的另一端的端面与所述封装层背离所述基板一侧的面齐平，且暴露在所述封装层外。8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，还包括多个第三导电件，多个所述第三导电件分别位于所述基板的沿厚度方向的两侧，部分所述第三导电件位于所述封装层中，所述第三导电件在所述基板的所在平面上的正投影位于所述芯片组在所述基板的所在平面上的正投影内；在所述基板的沿厚度方向的同一侧，所述第三导电件的一端与所述芯片组相连，所述第三导电件的另一端的端面与所述封装层背离所述基板一侧的面齐平，且暴露在所述封装层外。9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，还包括第四导电件，所述第四导电件位于所述基板的沿厚度方向的一侧，所述第四导电件位于所述封装层中；在所述基板的设置有所述第四导电件的一侧，所述第二导电件与所述基板电连接，所述第二导电件和所述第三导电件通过所述第四导电件电连接。10.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，在同一所述芯片组中，多个所述芯片中最靠近所述基板的所述芯片形成基础芯片，多个所述芯片中的其余所述芯片形成外侧芯片，所述第一导电件包括第一导电部和第二导电部；2CN115954330A权利要求书2/3页所述基础芯片与所述基板之间设置有所述第一导电部，且通过所述第一导电部电连接；所述外侧芯片与所述基板之间设置有连接的所述第一导电部和所述第二导电部，所述第一导电部位于所述第二导电部远离所述基板的一侧，所述外侧芯片与所述基板通过所述第一导电部和所