芯片封装结构及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114122240A(43)申请公布日2022.03.01(21)申请号202111405974.4(22)申请日2021.11.24(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人周伟龚立伟(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224代理人董婷婷(51)Int.Cl.H01L33/62(2010.01)权利要求书2页说明书7页附图7页(54)发明名称芯片封装结构及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种芯片封装结构及其制备方法。该芯片封装结构的制备方法，包括：提供基板；于基板表面形成网状排布的金属线路，各金属线路的端部形成有间隔排布的第一沟槽，第一沟槽的延伸方向与金属线路的延伸方向相同，且第一沟槽具有第一深度；键合芯片于金属线路的表面；形成封装层，覆盖芯片和金属线路，得到第一中间封装结构；对第一中间封装结构执行切割工艺，于金属线路的端部形成具有第二深度的第二沟槽，第二深度小于第一深度。上述芯片封装结构的制备方法，可以在执行切割工艺后，在芯片封装结构中的金属线路端部仍保留一定深度的沟槽，便于在研磨时，将不易研磨去除的金属填充至沟槽内，从而避免金属堆积导致封装层和基板分离。CN114122240ACN114122240A权利要求书1/2页1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；于所述基板表面形成网状排布的金属线路，各所述金属线路的端部形成有间隔排布的第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向与所述金属线路的延伸方向相同，且所述第一沟槽具有第一深度；键合芯片于所述金属线路的表面；形成封装层，覆盖所述芯片和所述金属线路，得到第一中间封装结构；对所述第一中间封装结构执行切割工艺，于所述金属线路的端部形成具有第二深度的第二沟槽，所述第二深度小于所述第一深度。2.如权利要求1所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述对所述第一中间封装结构执行切割工艺，包括：将所述第一中间封装结构真空吸附于底座；确定切割线的位置，所述切割线将所述第一沟槽划分为第一部分和第二部分，所述第一部分包括具有所述第二深度的所述第二沟槽；所述第二部分包括待切割金属部；沿所述切割线切割所述第一中间封装结构，保留所述第一部分，去除所述第二部分。3.如权利要求2所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，对所述第一中间封装结构执行切割工艺之后得到第二中间封装结构，所述芯片封装结构的制备方法还包括研磨工艺，所述研磨工艺包括：将所述第二中间封装结构真空吸附于所述底座；确定研磨终止线的位置，所述研磨终止线将所述第二沟槽划分为第三部分和第四部分；其中，所述第三部分包括具有第三深度的第三沟槽，所述第四部分包括待研磨金属部；所述待研磨金属部的体积与所述第三沟槽的容量相等；沿所述第二中间封装结构的边缘开始研磨，直到研磨至所述研磨终止线。4.如权利要求1所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述形成封装层，包括：于所述芯片和所述金属线路的表面形成单层黑胶层。5.如权利要求1‑4任一项所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述键合芯片于所述金属线路的表面之前，还包括：于所述金属线路的表面形成绝缘层。6.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：基板；金属线路，网状排布于所述基板表面，各所述金属线路的端部设置有间隔排布的沟槽，所述沟槽的延伸方向与所述金属线路的延伸方向相同；若干芯片，键合于所述金属线路表面；封装层，覆盖所述芯片和所述金属线路。7.如权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属线路包括沿第一方向延伸的第一金属线路和沿第二方向延伸的第二金属线路，第一金属线路与第二金属线路相交；所述芯片键合于所述第一金属线路和所述第二金属线路的交叉点。8.如权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述沟槽的截面形状包括：梯形、半圆形、三角形或矩形。2CN114122240A权利要求书2/2页9.如权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装层包括：单层黑胶层。10.如权利要求6‑9任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属线路与所述芯片之间设置有绝缘层。3CN114122240A说明书1/7页芯片封装结构及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及芯片封装领域，尤其涉及一种芯片封装结构及其制备方法。背景技术[0002]Micro‑LED(微型发光二极管)是新一代显示技术，比现有的OLED(有机发光二极管)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。[0003]现有的MicroLED产品制程主要分五步，一、制作带金属线路的背板；二、将芯片键合在玻璃基板上；三、在玻璃基板上进行封胶；四、对封胶玻璃进行切割和研磨，确定最终的