一种硒化镉薄膜气相外延制备系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108203843A(43)申请公布日2018.06.26(21)申请号201711306122.3(22)申请日2017.12.11(71)申请人昆明理工大学地址650093云南省昆明市五华区学府路253号(72)发明人刘翔何利利杨盛安张明吴长树(51)Int.Cl.C30B23/06(2006.01)C30B29/48(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图8页(54)发明名称一种硒化镉薄膜气相外延制备系统(57)摘要本发明涉及一种硒化镉薄膜气相外延制备系统，属于半导体制造技术领域。该制备系统包括位移系统、控温系统、外延系统、操作箱、固定台、靶材存储箱，固定台固定设置在靶材存储箱顶端，操作箱设置在固定台上，位移系统设置在支撑架上，控温系统固定设置在位移系统顶端，外延系统水平设置且一端与操作箱连通，外延系统的另一端向控温系统延伸且可插入控温系统内。本发明在外延管中配备了源蒸发后流通的限向聚流罩以及源和生长衬底的支撑装置，分别利用限向聚流罩和支撑装置提高源的利用率和薄膜材料的高效率沉积。CN108203843ACN108203843A权利要求书1/2页1.一种硒化镉薄膜气相外延制备系统，其特征在于：包括位移系统、控温系统、外延系统、操作箱（32）、固定台（34）、靶材存储箱（35），固定台（34）固定设置在靶材存储箱（35）顶端，操作箱（32）设置在固定台（34）上，位移系统设置在支撑架（19）上，控温系统固定设置在位移系统顶端，外延系统水平设置且一端与操作箱（32）连通，外延系统的另一端向控温系统延伸且可插入控温系统内；位移系统包括支撑板（16）、位移车（17）、控温滑轨（18）、电源滑轨（20），控温滑轨（18）设置在支撑架（19）顶端，位移车（17）底端设置有车轮，车轮设置在控温滑轨（18）上且与控温滑轨（18）配合，支撑板（16）竖直设置在位移车（17）顶端的两侧，控温系统通过支撑板（16）固定设置在位移车（17）上方，电源滑轨（20）设置在地面且位于控温滑轨（18）的下方；控温系统包括炉管（1）、高温区炉丝（2）、中温区炉丝（3）、低温区炉丝（4）、高中温区隔热环带（5）、中低温区隔热环带（38）、高温区热电偶（6）、中温区热电偶（37）、低温区热电偶（39）、高温区数显器（7）、中温区数显器（36）、低温区数显器（8）、数据采集器、处理器（9）、触摸显示器、隔热锥管（10）、控温导线（11）、多频变电箱（12）、高压电线（13）、线转盘（14）、滑动电源（15），炉管（1）通过支撑板（16）固定设置在位移车（17）上，高中温区隔热环带（5）、中低温区隔热环带（38）竖直设置在炉管（1）并将炉管（1）分隔成炉管高温区、炉管中温区和炉管低温区，炉管低温区近外延系统端，高温区炉丝（2）设置在炉管高温区的炉管（1）内壁，中温区炉丝（3）设置在炉管中温区的炉管（1）内壁，低温区炉丝（4）设置在炉管低温区的炉管（1）内壁，高温区热电偶（6）均匀设置在炉管高温区的炉管（1）顶壁且高温区热电偶（6）的探头穿过炉管（1）顶壁延伸至炉管（1）内，中温区热电偶（37）均匀设置在炉管中温区的炉管（1）顶壁且中温区热电偶（37）的探头穿过炉管（1）顶壁延伸至炉管（1）内，低温区热电偶（39）均匀设置在炉管低温区的炉管（1）顶壁且低温区热电偶（39）的探头穿过炉管（1）顶壁延伸至炉管（1）内，高温区数显器（7）设置在炉管高温区的炉管（1）顶端，中温区数显器（36）设置在炉管中温区的炉管（1）顶端、低温区数显器（8）设置在炉管低温区的炉管（1）顶端，数据采集器固定设置在炉管（1）外壁，高温区热电偶（6）分别通过数据线与数据采集器、高温区数显器（7）连接，中温区热电偶（37）分别通过数据线与数据采集器、中温区数显器（36）连接，低温区热电偶（39）分别通过数据线与数据采集器、低温区数显器（8）连接，处理器（9）设置在炉管（1）顶端的中部，数据采集器与处理器（9）连接，触摸显示器固定设置在处理器（9）的前端且触摸显示器与处理器（9）连接，隔热锥管（10）固定设置在炉管低温区的一侧且与炉管低温区连通，多频变电箱（12）设置在位移车（17）顶端且位于炉管（1）下方，多频变电箱（12）通过控温导线（11）分别与高温区炉丝（2）、中温区炉丝（3）、低温区炉丝（4）连接，滑动电源（15）放置在电源箱内，电源箱的底部设置有轮子，轮子设置在电源滑轨（20）上且与电源滑轨（20）相配合，电源箱的顶端两侧竖直设置有线转盘架，线转盘（14）通过转动轴设置在线转盘架顶端且线转盘（14）可在线转盘架上转动，高压电线（13）缠绕在线转盘（14）上，滑动电源（15）通过高压电线（13）与多频变