半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105895601A(43)申请公布日2016.08.24(21)申请号201510036999.XH01L21/768(2006.01)(22)申请日2015.01.26(30)优先权数据2014-1684062014.08.21JP(71)申请人力晶科技股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区(72)发明人吉田宗博(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人陈小雯(51)Int.Cl.H01L23/48(2006.01)H01L23/544(2006.01)H01L27/115(2006.01)H01L21/8247(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图11页(54)发明名称半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法(57)摘要本发明公开一种半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法。为了解决在切割道切割半导体晶片时探针测试垫残留垫金属造成的半导体芯片可靠度恶化的问题，在具有多个半导体芯片的半导体晶片，具有形成于半导体晶片的切割区的多个探针测试垫、形成于半导体芯片上的多个直通硅晶穿孔、与将各探针测试垫连接于各直通硅晶穿孔的线路层，而被构成为：在晶片测试后，通过蚀刻移除多个探针测试垫及线路层的一部分的至少其中之一。另外，半导体晶片还具有以覆盖移除线路层的一部分时残留的线路层的曝露面的形式形成的保护膜。CN105895601ACN105895601A权利要求书1/2页1.一种半导体晶片，其特征在于，包含：多个半导体芯片；多个探针测试垫，形成于上述半导体晶片的切割区；多个直通硅晶穿孔，形成于上述半导体芯片上；以及线路层，将上述各探针测试垫分别连接于上述各直通硅晶穿孔；其中该半导体晶片被构成为：在晶片测试后，通过蚀刻移除上述多个探针测试垫或上述线路层的一部分、或是上述多个探针测试垫及上述线路层的一部分均通过蚀刻移除。2.如权利要求1所述的半导体晶片，被构成为：先行形成上述多个直通硅晶穿孔，在晶片测试后，通过蚀刻移除上述多个探针测试垫或上述线路层的一部分、或是上述多个探针测试垫及上述线路层的一部分均通过蚀刻移除。3.如权利要求1或2所述的半导体晶片，还包含一保护膜，其以在移除上述线路层的一部分时覆盖残存的线路层的曝露面的样态形成。4.如权利要求1所述的半导体晶片，其中连接于上述多个探针测试垫的线路层并非最上层。5.如权利要求1所述的半导体晶片，其中连接于上述各探针测试垫的线路层、与连接于上述各直通硅晶穿孔的线路层为不同层。6.如权利要求1所述的半导体晶片，其中上述多个探针测试垫是沿着上述半导体芯片的一边或二边形成。7.如权利要求1所述的半导体晶片，其中上述多个探针测试垫是共通地用于经由上述线路层连接于上述多个半导体芯片。8.如权利要求1所述的半导体晶片，还包含测试电路。9.如权利要求1所述的半导体晶片，其中上述探针测试垫是以铜构成。10.一种半导体芯片，其特征在于，被构成为：在权利要求1至9任一所述的半导体晶片中，通过沿着上述切割区的既定的切割道切割而分离多个半导体芯片。11.如权利要求10所述的半导体芯片，其中上述半导体芯片为半导体存储器芯片。12.一种半导体装置，其特征在于，将权利要求10或11所述的多个半导体芯片，以连接在厚度方向相互邻接的半导体芯片的各直通硅晶穿孔的方式层积，由此构成半导体装置。13.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，包含：在具有多个半导体芯片的半导体晶片的切割区形成多个探针测试垫；在上述半导体芯片上形成多个线路层；在上述半导体芯片上形成连接于上述各线路层的多个直通硅晶穿孔；以及在晶片测试后，通过蚀刻移除上述多个探针测试垫或上述线路层的一部分、或是上述多个探针测试垫及上述线路层的一部分均通过蚀刻移除。14.如权利要求13所述的半导体晶片的制造方法，其中在先行形成上述多个直通硅晶穿孔后，进行晶片测试，再通过蚀刻移除上述多个探针测试垫或上述线路层的一部分、或是上述多个探针测试垫及上述线路层的一部分均通过蚀刻移除。15.如权利要求13或14所述的半导体晶片的制造方法，还包含以在移除上述线路层的一部分时覆盖残存的线路层的曝露面的样态，形成一保护膜。16.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，在权利要求13至15任一所述的半导体2CN105895601A权利要求书2/2页晶片的制造方法中，通过沿着上述切割区的既定的切割道切割而分离多个半导体芯片。17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在权利要求16所述的半导体芯片的制造方法中，将上述多个半导体芯片，以连接在厚度方向相互邻接的半导体芯片的各直通硅晶穿孔的方式层积，由此构成半导体装置。3CN105895601A说明书1/9页半导体晶片、半导体芯片以及半导体