晶圆传送腔及半导体处理系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115966490A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202211643334.1(22)申请日2022.12.20(71)申请人江苏天芯微半导体设备有限公司地址214111江苏省无锡市新吴区新梅路58号(72)发明人刘超(74)专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司31323专利代理师朱成之(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/677(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称晶圆传送腔及半导体处理系统(57)摘要本发明提供一种晶圆传送腔及半导体处理系统。所述晶圆传送腔包括：本体，所述本体包括上顶和下底，所述上顶置于所述下底上方，所述上顶和所述下底之间形成用于在传送路径上传送晶圆的传送空间；所述本体还包括进气口和至少一个吹气口，所述进气口和所述吹气口连通，用于通入吹扫气体对所述晶圆在所述传送路径上进行吹扫和降温。本发明用于解决现有晶圆冷却过程中的机械运动结构多、传送复杂、传送腔空间大、冷却步骤多、晶圆降温耗时长、晶圆背面划伤等问题。CN115966490ACN115966490A权利要求书1/1页1.一种晶圆传送腔，其特征在于，包括：本体，所述本体包括上顶和下底，所述上顶置于所述下底上方，所述上顶和所述下底之间形成用于在传送路径上传送晶圆的传送空间；所述本体还包括进气口和至少一个吹气口，所述进气口和所述吹气口连通，用于通入吹扫气体对所述晶圆在所述传送路径上进行吹扫和降温。2.如权利要求1所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述吹气口包括第一吹气口和第二吹气口，用于在晶圆的传送路径上分别对晶圆上的第一区域和第二区域进行吹扫和降温。3.如权利要求1所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述吹扫和降温实施于所述晶圆在所述传送路径上的传送过程中。4.如权利要求2所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述第一吹气口和第二吹气口流出的吹扫气体垂直于所述晶圆的表面。5.如权利要求2所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述本体还包括：第一进气道，连通所述进气口和所述第一吹气口；第二进气道，连通所述第一进气道和所述第二吹气口。6.如权利要求5所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述第一进气道的形状与所述传送路径至少部分地对应。7.如权利要求6所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述第一进气道为环形，所述第一吹气口的数量为多个，沿所述第一进气道均匀分布。8.如权利要求7所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述第二进气道的数量为多个，并沿所述第一进气道均匀分布。9.如权利要求8所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述第二进气道沿水平方向上垂直于所述第一进气道。10.如权利要求8所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述第二进气道沿水平方向向所述晶圆传送腔的本体的中心延伸，所述晶圆传送腔还包括一导流板，设于所述第二进气道末端，用于将所述吹扫气体引导为沿竖直方向经所述第二吹气口流出。11.如权利要求5所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述本体还包括第三进气道，用于连通所述进气口和所述第一进气道。12.如权利要求1所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述进气口和至少一个吹气口设置于所述上顶或所述下底。13.如权利要求1所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述进气口的数量为至少两个，沿所述晶圆传送腔的本体的周向均匀分布。14.如权利要求1所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述本体的上顶和下底均为六边形或八边形。15.如权利要求1所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述本体的上顶和下底之间还设置有多个晶圆传输口。16.如权利要求1所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述吹扫气体为氮气。17.如权利要求1所述的晶圆传送腔，其特征在于，所述吹扫气体的温度和/或流量可调节。18.一种半导体处理系统，其特征在于，包括如权利要求1‑17任一项所述的晶圆传送腔。2CN115966490A说明书1/5页晶圆传送腔及半导体处理系统技术领域[0001]本发明涉及半导体设备技术领域，特别涉及一种晶圆传送腔及半导体处理系统。背景技术[0002]当前大部分半导体晶圆制造设备均采用真空传送腔作为真空负载腔与工艺腔的中转站。当真空传送腔的真空机械手将高温晶圆从工艺腔取出来后，必须放置于专门的冷却盘进行一定时间的冷却，才能传进真空负载腔。[0003]然而，冷却盘大大占用了传送腔的空间，并且需要通入冷却水，冷却水管有老化和泄露的风险，冷却盘上的晶圆升降机构增加了故障和维护的成本，当晶圆与冷却盘上的升降销(Pin)接触时，可能会刮伤晶圆背面，导致在后续的工艺过程中更加容易破裂或污染，而且将晶圆转移到冷却盘上冷却需要花费时间，这对产量影响很大。发明内容[0004]本发明的目的是提供一种晶圆传送腔及半导体处理系统，用于解决现有晶圆冷却过程中的机械