半导体封装件和制造该半导体封装件的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115985902A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211220578.9(22)申请日2022.10.08(30)优先权数据10-2021-01368902021.10.14KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人金载春金泰焕柳胜杰李应彰郑起旭赵圣恩(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112专利代理师赵南李竞飞(51)Int.Cl.H01L25/18(2023.01)H01L23/46(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图24页(54)发明名称半导体封装件和制造该半导体封装件的方法(57)摘要提供了一种半导体封装件和该半导体封装件的制造方法。所述半导体封装件包括：封装件衬底；插入件，其设置在封装件衬底上；半导体芯片，其安装在插入件上；模制构件，其位于插入件上，并且围绕半导体芯片；第一密封构件，其位于模制构件上；以及散热构件，其位于封装件衬底上，并且覆盖插入件、半导体芯片和第一密封构件，其中，散热构件包括下结构和上结构，下结构接触封装件衬底的上表面，上结构位于下结构上，在第一密封构件上方延伸，并且包括微沟道和位于微沟道上的微柱。CN115985902ACN115985902A权利要求书1/3页1.一种半导体封装件，包括：封装件衬底；插入件，其设置在所述封装件衬底上；半导体芯片，其安装在所述插入件上；模制构件，其位于所述插入件上，并且围绕所述半导体芯片；第一密封构件，其位于所述模制构件上；以及散热构件，其位于所述封装件衬底上，并且覆盖所述插入件、所述半导体芯片和所述第一密封构件，其中，所述散热构件包括下结构和上结构，所述下结构接触所述封装件衬底的上表面，所述上结构位于所述下结构上，在所述第一密封构件上方延伸，并且包括微沟道和位于所述微沟道上的微柱。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一密封构件沿着所述半导体芯片与所述模制构件之间的界面延伸。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第一密封构件覆盖所述模制构件的上表面，覆盖所述半导体芯片的外边缘，并且暴露出所述半导体芯片的上表面的相应的中心区域。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述散热构件的所述下结构和所述上结构包括提供耐腐蚀性的相同材料并且构成具有矩形圆柱形状的单一整体。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述下结构竖直地支撑所述上结构，并且与所述插入件和所述半导体芯片横向地间隔开。6.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述上结构的厚度在1μm至2000μm的范围内，并且所述第一密封构件的厚度在1μm至300μm的范围内。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述微沟道包括下微沟道和上微沟道，所述下微沟道在第一水平方向上延伸，所述上微沟道在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述上结构包括流体入口和流体出口，所述流体入口、所述上微沟道、所述下微沟道和所述流体出口互连以形成冷却空间，并且所述冷却空间热连接到所述半导体芯片的相应的上表面。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述半导体芯片包括执行第一功能的第一半导体芯片以及各自执行与所述第一功能不同的第二功能的多个第二半导体芯片，所述第一半导体芯片的上表面和所述多个第二半导体芯片的上表面共面，并且所述多个第二半导体芯片之中的第二半导体芯片在所述第一半导体芯片周围横向地布置。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：第二密封构件，其位于所述散热构件的下结构的内侧壁和所述模制构件的外侧壁以及所述封装件衬底的外边缘之间。11.一种半导体封装件，包括：安装在插入件上的第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，所述第一半导体芯片和2CN115985902A权利要求书2/3页所述第二半导体芯片中的每一个包括有源表面和无源表面；模制构件，其位于所述插入件上，并且围绕所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片；密封构件，其位于所述模制构件的上表面上，沿着所述第一半导体芯片的无源表面的边缘设置，沿着所述第二半导体芯片的无源表面的边缘设置，暴露出所述第一半导体芯片的无源表面的第一中心区域，并且暴露出所述第二半导体芯片的无源表面的第二中心区域；以及散热构件，其位于所述密封构件上，覆盖所述模制构件、所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片，并且包括热连接到所述第一中心区域和所述第二中心区域的冷却剂传递路径，其中，所述冷却剂传递路径包括微沟道和微柱中的至少一个。12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述密封构件沿着所述模制构件与所述第一半导体芯片之间的界面并且沿着所述模制构件与所述第二半导体芯片之间的界