晶圆倒片装置.pdf
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相关资料
晶圆倒片装置.pdf
本发明提供一种晶圆倒片装置,包括承载平台、两个转换件及驱动机构。承载平台间隔设有第一放置区及第二放置区。两个转换件间隔设置于第一放置区与第二放置区之间,且第一放置区和第二放置区之间的连线与两个转换件之间的连线相交,两个转换件相互靠近的一侧均对应设有转换部,转换部从转换件靠近第一放置区的一侧延伸至转换件靠近第二放置区的一侧。驱动机构用于驱动晶圆从第一放置区通过转换部并移动至第二放置区。相对于传统通过真空吸笔转换的方式而言,本申请中晶圆与转换件之间的接触面积减小,且晶圆能够顺畅的从载具内通过转换部并移动至晶圆
晶圆片边缘处理装置.pdf
本发明涉及一种晶圆片边缘处理装置,包括清洗池及安装于清洗池上方的清洗腔,所述清洗池中安装有多个驱动滚轮,驱动滚轮的驱动轴与驱动装置连接;所述清洗腔中设有多个清洗槽,所述清洗槽对应位于驱动滚轮的上方。本发明专用于晶圆片边缘的清洗处理,采用多个驱动齿轮集中驱动晶圆片,其清洗效率高,整个处理装置的结构简单、紧凑。
晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法.pdf
本发明提供了一种晶圆片激光切割方法,其包括如下步骤:提供一晶圆片,所述晶圆片具有正面及带有电极的背面,所述晶圆片的背面具有切割道;于所述晶圆片背面贴膜;将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中,所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割。通过在晶圆片的同一个切割道内,不同的深度进行两次激光加工,大大改善了激光切割厚的晶圆片造成斜裂不良的问题,有效地避免了激光切割斜裂过大而造成的电极破坏。对传统的单次激光切割具有相当大的优势和良率。本发明还提供一
一种晶圆片减薄装置.pdf
本实用新型涉及半导体产品加工设备技术领域,特别涉及一种晶圆片减薄装置,包括用于固定晶圆片的吸附单元和对晶圆片表面进行磨削的磨削单元,所述吸附单元包括真空吸盘,所述真空吸盘通过气管与外部抽真空机连通,所述磨削单元包括竖直设置于所述真空吸盘上方的超声磨削头,所述真空吸盘包括盘体,所述盘体内均布多个气流道和吸附孔,多个吸附孔竖直设置,所述吸附孔内密封滑动设置支撑柱,支撑柱下方设置阻碍支撑柱向下滑动的弹性件,所述支撑柱的上端向上伸出所述盘体的上表面。本实用新型能有效防止晶圆片被吸附产生变形碎裂。
倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法.pdf
本发明公开了一种倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法,倾斜装置包括:存取单元具有多个单元格,各单元格沿水平方向阵列排布,且用于容纳片状板,单元格具有供片状板进出单元格的敞口的,其下部具有开口;支撑座能够定位存取单元;顶板设置在所述支撑座朝向存取单元一侧的表面上,并沿各单元格的阵列排布方向延伸,顶板的上表面倾斜设置,并通过开口与各单元格内的片状板相接触。该倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法通过设置倾斜的顶板于支撑座上,存取单元内的片状板与顶板接触,达到片状板同侧倾斜的目的,节约成本,结构简单,稳定性高。同时,实现片状板的