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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114267619A(43)申请公布日2022.04.01(21)申请号202111618256.5(22)申请日2021.12.27(71)申请人新阳硅密(上海)半导体技术有限公司地址201616上海市松江区思贤路3600号(72)发明人史蒂文·贺·汪王亦天(74)专利代理机构上海弼兴律师事务所31283代理人蔡烨平何桥云(51)Int.Cl.H01L21/673(2006.01)H01L21/68(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图7页(54)发明名称倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法(57)摘要本发明公开了一种倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法,倾斜装置包括:存取单元具有多个单元格,各单元格沿水平方向阵列排布,且用于容纳片状板,单元格具有供片状板进出单元格的敞口的,其下部具有开口;支撑座能够定位存取单元;顶板设置在所述支撑座朝向存取单元一侧的表面上,并沿各单元格的阵列排布方向延伸,顶板的上表面倾斜设置,并通过开口与各单元格内的片状板相接触。该倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法通过设置倾斜的顶板于支撑座上,存取单元内的片状板与顶板接触,达到片状板同侧倾斜的目的,节约成本,结构简单,稳定性高。同时,实现片状板的同侧倾斜、均匀排列,使得片状板在特定环境下处理的更加均匀流畅,对于处理的提升有积极意义。CN114267619ACN114267619A权利要求书1/2页1.一种倾斜装置,其特征在于,所述倾斜装置还包括:存取单元,所述存取单元具有多个单元格,各所述单元格沿水平方向阵列排布,各所述单元格用于容纳片状板,所述单元格具有供所述片状板进出所述单元格的敞口的,所述单元格的下部具有开口;支撑座,所述支撑座能够定位所述存取单元;顶板,所述顶板设置在所述支撑座朝向所述存取单元一侧的表面上,并沿各所述单元格的阵列排布方向延伸,所述顶板的上表面倾斜设置,并通过所述开口与各单元格内的片状板相接触。2.如权利要求1所述的倾斜装置,其特征在于,各个所述单元格在所述存取单元内等间距设置。3.如权利要求1所述的倾斜装置,其特征在于,所述片状板和所述顶板之间的摩擦力小于所述片状板的下滑力。4.如权利要求1所述的倾斜装置,其特征在于,所述支撑座为底座,所述底座朝向所述存取单元的一侧为水平面。5.如权利要求1所述的倾斜装置,其特征在于,所述倾斜装置还包括限位挡板,所述限位挡板安装在沿所述顶板方向的所述支撑座的两端上。6.如权利要求5所述的倾斜装置,其特征在于,所述顶板在所述支撑座上的位置被设置为:当所述存取单元定位于所述支撑座上时,使所述顶板位于所述片状板的正中心的下方。7.如权利要求5所述的倾斜装置,其特征在于,所述限位挡板垂直于所述顶板的延伸方向设置。8.如权利要求1所述的倾斜装置,其特征在于,所述顶板接触所述片状板的一端设置倒角结构。9.如权利要求1所述的倾斜装置,其特征在于,所述片状板为晶圆片。10.如权利要求9所述的倾斜装置,其特征在于,所述存取单元包括侧挡板和连接板,所述侧挡板分布在所述晶圆片的两侧,所述连接板的两端连接两块所述侧挡板,所述侧挡板和所述连接板围设形成所述单元格,所述侧挡板与其内部的所述晶圆片有多个接触支撑点。11.如权利要求10所述的倾斜装置,其特征在于,所述侧挡板朝向底座方向为收缩状。12.一种晶圆片同侧倾斜方法,其特征在于,包括如权利要求1‑8任意一项所述的倾斜装置,包括以下步骤:S11、将片状板分别放置在所述存取单元的各所述单元格内;S12、将所述存取单元定位在支撑座上,使所述顶板通过所述开口与各单元格内的片状板相接触。13.如权利要求12所述的倾斜装置的实施方法,其特征在于,在S12中将所述存取单元沿所述顶板的延伸方向定位在支撑座上。14.一种晶圆片同侧倾斜方法,其特征在于,其采用存取单元倾斜晶圆片,所述存取单元具有多个单元格,各所述单元格沿水平方向阵列排布,各所述单元格用于容纳晶圆片,所述单元格具有供所述晶圆片进出所述单元格的敞口的,所述单元格的下部具有开口;所述晶圆片同侧倾斜方法包括以下步骤:2CN114267619A权利要求书2/2页将多块晶圆片分别放置在各所述单元格内;在能够承载该所述存取单元的平台上设置一个上表面倾斜的顶板;将存取单元摆放在所述平台上,并且,使存取单元中的各所述单元格的朝向与所述顶板的延伸方向一致,并使所述顶板的上表面通过开口与各所述单元格的晶圆片相接触。3CN114267619A说明书1/9页倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法技术领域[0001]本发明涉及一种倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法。背景技术[0002]在片盒槽式湿处理工艺中,需要先将片盒内的晶圆片朝向同一侧再进行湿处理工艺,所以将晶圆片在湿处理工艺的处理槽中如何倾斜设置,